Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$

В данной работе изучен процесс формирования нанокристаллов GaN на графеноподобной модификации AlN ($g$-AlN) и графеноподобном нитриде кремния ($g$-Si$_{3}$N$_{3}$) методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака. Обнаружено, что рост GaN на поверхности $g$-Si$_{3}$N$_{3}$ приводит к формированию разориентированных нанокристаллов. При росте GaN на поверхности $g$-AlN наблюдался эпитаксиальный рост одинаково ориентированных квантовых точек GaN графитоподобной модификации. Рассчитаны параметры решетки и энергетическая структура двух графитоподобных модификаций GaN с чередованием слоев $AB$ (структура графита) и $AA^{+}$ (структура гексагонального нитрида бора).