|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
Т. В. Малинa, Д. С. Милахинa, И. А. Александровa, В. Е. Земляковb, В. И. Егоркинb, А. А. Зайцевb, Д. Ю. Протасовac, А. С. Кожуховa, Б. Я. Берd, Д. Ю. Казанцевd, В. Г. Мансуровa, К. С. Журавлёвae a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
c Новосибирский государственный технический университет
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии намеренно нелегированных высокоомных буферных слоев GaN в AlGaN/GaN-гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов. Оптимизация ростовых условий GaN проведена на основании расчетов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака.
Ключевые слова:
GaN, собственные точечные дефекты, фоновые примеси, AlGaN/GaN, HEMT, NH$_{3}$-MBE.
Поступила в редакцию: 19.04.2019 Исправленный вариант: 24.04.2019 Принята в печать: 24.04.2019
Образец цитирования:
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 21–24; Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5360 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i15/p21
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 12 |
|