Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 15, страницы 21–24
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.15.48081.17844 (Mi pjtf5360) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN

Т. В. Малинa, Д. С. Милахинa, И. А. Александровa, В. Е. Земляковb, В. И. Егоркинb, А. А. Зайцевb, Д. Ю. Протасовac, А. С. Кожуховa, Б. Я. Берd, Д. Ю. Казанцевd, В. Г. Мансуровa, К. С. Журавлёвae

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
c Новосибирский государственный технический университет
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (355 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.15.48081.17844
Аннотация: Продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии намеренно нелегированных высокоомных буферных слоев GaN в AlGaN/GaN-гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов. Оптимизация ростовых условий GaN проведена на основании расчетов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака.
Ключевые слова: GaN, собственные точечные дефекты, фоновые примеси, AlGaN/GaN, HEMT, NH$_{3}$-MBE.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.577.21.0250
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках соглашения № 14.577.21.0250 от 26.09.17, уникальный идентификатор проекта RFMEFI57717X0250.
Поступила в редакцию: 19.04.2019
Исправленный вариант: 24.04.2019
Принята в печать: 24.04.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 8, Pages 761–764
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019080108
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 21–24; Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalMilAle19}
\by Т.~В.~Малин, Д.~С.~Милахин, И.~А.~Александров, В.~Е.~Земляков, В.~И.~Егоркин, А.~А.~Зайцев, Д.~Ю.~Протасов, А.~С.~Кожухов, Б.~Я.~Бер, Д.~Ю.~Казанцев, В.~Г.~Мансуров, К.~С.~Журавлёв
\paper Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 15
\pages 21--24
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5360}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.15.48081.17844}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131142}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 8
\pages 761--764
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019080108}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5360
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i15/p21
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024