|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах
П. А. Боханa, К. С. Журавлёвa, Д. Э. Закревскийab, Т. В. Малинa, И. В. Осинныхac, Н. В. Фатеевac a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
c Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Экспериментально исследовано временное поведение интенсивностей люминесценции и стимулированного излучения в сильнолегированных структурах Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N и Al$_{0.74}$Ga$_{0.26}$N при импульсном оптическом возбуждении. Результаты продемонстрировали, что временное затухание интенсивностей люминесценции и стимулированного излучения для различных длин волн излучаемого спектра и мощностей оптической накачки состоит по крайней мере из двух компонент: быстрой и медленной. Быстрые компоненты с экспоненциальным временным затуханием связаны с излучательной рекомбинацией неравновесных электронов на глубоких акцепторах, а медленные – с рекомбинацией донорно-акцепторных пар.
Ключевые слова:
сильнолегированные структуры Al$_x$Ga$_{1-x}$N, люминесценция, стимулированная эмиссия, оптическое усиление.
Поступила в редакцию: 24.03.2021 Исправленный вариант: 21.04.2021 Принята в печать: 22.04.2021
Образец цитирования:
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 39–42; Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 692–695
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4736 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i14/p39
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 9 |
|