Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах

Экспериментально исследовано временное поведение интенсивностей люминесценции и стимулированного излучения в сильнолегированных структурах Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N и Al$_{0.74}$Ga$_{0.26}$N при импульсном оптическом возбуждении. Результаты продемонстрировали, что временное затухание интенсивностей люминесценции и стимулированного излучения для различных длин волн излучаемого спектра и мощностей оптической накачки состоит по крайней мере из двух компонент: быстрой и медленной. Быстрые компоненты с экспоненциальным временным затуханием связаны с излучательной рекомбинацией неравновесных электронов на глубоких акцепторах, а медленные – с рекомбинацией донорно-акцепторных пар.