Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 14, страницы 72–79 (Mi pjtf6361)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN

К. С. Журавлевab, Т. В. Малинa, В. Г. Мансуровa, В. Е. Земляковc, В. И. Егоркинc, Я. М. Парнесd

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
d ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (351 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии роста in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN со сверхтонким барьером AlN. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 A/mm, напряжением насыщения 1 V, крутизной до 350 mS/mm, пробивным напряжением более 60 V. Транзисторы показали практическое отсутствие эффектов стокового и затворного коллапса.
Поступила в редакцию: 29.02.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 7, Pages 750–753
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016070312
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, “Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 72–79; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 750–753
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuMalMan16}
\by К.~С.~Журавлев, Т.~В.~Малин, В.~Г.~Мансуров, В.~Е.~Земляков, В.~И.~Егоркин, Я.~М.~Парнес
\paper Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 14
\pages 72--79
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6361}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368268}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 7
\pages 750--753
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016070312}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6361
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i14/p72
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024