Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 877–881
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51437.36 (Mi phts4956) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка

Д. В. Дмитриевa, Д. А. Колосовскийab, Е. В. Федосенкоa, А. И. Тороповa, К. С. Журавлевab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (447 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51437.36
Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение in situ изучено изменение структуры и элементного состава поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком вакууме. Показано, что в процессе отжига окисного слоя на поверхности формируется слой InP$_{1-x}$As$_{x}$, возникающий в процессе замещения фосфора мышьяком. Установлена зависимость степени замещения от температуры и времени отжига. При температуре отжига 480$^\circ$С степень замещения фосфора мышьяком в приповерхностном слое составляет 7%, при температуре 540$^\circ$С достигает 41%. Время отжига слабо влияет на степень замещения.
Ключевые слова: фосфид индия, мышьяк, отжиг, замещение, дифракция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-42-540009
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 20-42-540009.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 11, Pages 823–837
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100080
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Дмитриев, Д. А. Колосовский, Е. В. Федосенко, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 877–881; Semiconductors, 55:11 (2021), 823–837
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DmiKolFed21}
\by Д.~В.~Дмитриев, Д.~А.~Колосовский, Е.~В.~Федосенко, А.~И.~Торопов, К.~С.~Журавлев
\paper Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 877--881
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4956}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51437.36}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 823--837
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100080}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4956
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p877
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:71
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024