Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1407–1413
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46748.27
(Mi phts5651)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si

В. Г. Мансуровa, Ю. Г. Галицынa, Т. В. Малинa, C. А. Тийсa, Е. В. Федосенкоa, А. С. Кожуховa, К. С. Журавлевab, Ildikó Corac, Béla Péczc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Thin Film Physics Department, Institute for Technical Physics and Materials Science, Centre for Energy Research, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary
Аннотация: Исследована кинетика образования и термического разложения двумерного нитридного слоя SiN-(8 $\times$ 8) на поверхности (111)Si. Структура SiN-(8 $\times$ 8) является метастабильной промежуточной фазой при нитридизации кремния с образованием стабильной аморфной фазы Si$_{3}$N$_{4}$. Исследование структуры SiN-(8 $\times$ 8) методом сканирующей туннельной микроскопии показывает ее сложное строение, она состоит из адсорбционной фазы (8/3 $\times$ 8/3) с латеральным периодом 10.2 $\mathring{\mathrm{A}}$ и сотовой структуры со стороной шестиугольника $\sim$6 $\mathring{\mathrm{A}}$, который развернут относительно адсорбционной фазы на 30$^\circ$. Измерена ширина запрещенной зоны SiN-(8 $\times$ 8), она равна $\sim$2.8 эВ, что меньше в сравнении с шириной запрещенной зоны кристаллической фазы $\beta$-Si$_{3}$N$_{4}$ 5.3 эВ. Измерены межплоскостные расстояния в структуре (AlN)$_{3}$/(SiN)$_{2}$ на поверхности (111)Si, равные 3.3 $\mathring{\mathrm{A}}$ в SiN и 2.86 $\mathring{\mathrm{A}}$ в AlN. Такие межплоскостные расстояния указывают на слабое ван-дер-ваальсово взаимодействие между слоями. Предложена модель структуры SiN-(8 $\times$ 8) как плоского графеноподобного слоя, удовлетворяющая как дифракционным, так и микроскопическим данным.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-00947
18-52-00008
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты РФФИ № 17-02-00947, 18-52-00008).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1511–1517
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120151
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413; Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ManGalMal18}
\by В.~Г.~Мансуров, Ю.~Г.~Галицын, Т.~В.~Малин, C.~А.~Тийс, Е.~В.~Федосенко, А.~С.~Кожухов, К.~С.~Журавлев, Ildik\'o~Cora, B\'ela~P\'ecz
\paper Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1407--1413
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5651}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46748.27}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903624}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1511--1517
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120151}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5651
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1407
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024