|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
В. Г. Мансуровa, Ю. Г. Галицынa, Т. В. Малинa, C. А. Тийсa, Е. В. Федосенкоa, А. С. Кожуховa, К. С. Журавлевab, Ildikó Corac, Béla Péczc a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Thin Film Physics Department, Institute for Technical Physics and Materials Science, Centre for Energy Research, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary
Аннотация:
Исследована кинетика образования и термического разложения двумерного нитридного слоя SiN-(8 $\times$ 8) на поверхности (111)Si. Структура SiN-(8 $\times$ 8) является метастабильной промежуточной фазой при нитридизации кремния с образованием стабильной аморфной фазы Si$_{3}$N$_{4}$. Исследование структуры SiN-(8 $\times$ 8) методом сканирующей туннельной микроскопии показывает ее сложное строение, она состоит из адсорбционной фазы (8/3 $\times$ 8/3) с латеральным периодом 10.2 $\mathring{\mathrm{A}}$ и сотовой структуры со стороной шестиугольника $\sim$6 $\mathring{\mathrm{A}}$, который развернут относительно адсорбционной фазы на 30$^\circ$. Измерена ширина запрещенной зоны SiN-(8 $\times$ 8), она равна $\sim$2.8 эВ, что меньше в сравнении с шириной запрещенной зоны кристаллической фазы $\beta$-Si$_{3}$N$_{4}$ 5.3 эВ. Измерены межплоскостные расстояния в структуре (AlN)$_{3}$/(SiN)$_{2}$ на поверхности (111)Si, равные 3.3 $\mathring{\mathrm{A}}$ в SiN и 2.86 $\mathring{\mathrm{A}}$ в AlN. Такие межплоскостные расстояния указывают на слабое ван-дер-ваальсово взаимодействие между слоями. Предложена модель структуры SiN-(8 $\times$ 8) как плоского графеноподобного слоя, удовлетворяющая как дифракционным, так и микроскопическим данным.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413; Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5651 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1407
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 26 |
|