Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2017, том 87, выпуск 6, страницы 900–904
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.06.44514.1986 (Mi jtf6210) 		 
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Твердотельная электроника

Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

А. К. Бакаровab, А. К. Гутаковскийa, К. С. Журавлевab, А. П. Ковчавцевa, А. И. Тороповa, И. Д. Бурлаковc, К. О. Болтарьc, П. В. Власовc, А. А. Лопухинc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c АО НПО "ОРИОН", г. Москва
PDF полного текста (648 kB) Список цитирования (8)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.06.44514.1986
Аннотация: Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии InSb слоев на подложках InSb. На основе выращенных слоев изготовлены матричные фотоприемные устройства (МФПУ) средневолнового инфракрасного диапазона. Проведено сравнение фотоэлектрических характеристик МФПУ на основе эпитаксиальных слоев и МФПУ, серийно выпускаемых с использованием монокристаллов InSb.
Поступила в редакцию: 12.07.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2017, Volume 62, Issue 6, Pages 915–919
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784217060044
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, А. П. Ковчавцев, А. И. Торопов, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, “Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 87:6 (2017), 900–904; Tech. Phys., 62:6 (2017), 915–919
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BakGutZhu17}
\by А.~К.~Бакаров, А.~К.~Гутаковский, К.~С.~Журавлев, А.~П.~Ковчавцев, А.~И.~Торопов, И.~Д.~Бурлаков, К.~О.~Болтарь, П.~В.~Власов, А.~А.~Лопухин
\paper Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
\jour ЖТФ
\yr 2017
\vol 87
\issue 6
\pages 900--904
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6210}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2017.06.44514.1986}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29357069}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2017
\vol 62
\issue 6
\pages 915--919
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784217060044}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6210
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i6/p900
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024