|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Твердотельная электроника
Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
А. К. Бакаровab, А. К. Гутаковскийa, К. С. Журавлевab, А. П. Ковчавцевa, А. И. Тороповa, И. Д. Бурлаковc, К. О. Болтарьc, П. В. Власовc, А. А. Лопухинc a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c АО НПО "ОРИОН", г. Москва
Аннотация:
Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии InSb слоев на подложках InSb. На основе выращенных слоев изготовлены матричные фотоприемные устройства (МФПУ) средневолнового инфракрасного диапазона. Проведено сравнение фотоэлектрических характеристик МФПУ на основе эпитаксиальных слоев и МФПУ, серийно выпускаемых с использованием монокристаллов InSb.
Поступила в редакцию: 12.07.2016
Образец цитирования:
А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, А. П. Ковчавцев, А. И. Торопов, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, “Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 87:6 (2017), 900–904; Tech. Phys., 62:6 (2017), 915–919
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6210 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i6/p900
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 72 | PDF полного текста: | 35 |
|