Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 7, страницы 1158–1163
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.07.50957.347-20 (Mi jtf4977) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Твердотельная электроника

Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии

К. С. Журавлевab, А. М. Гилинскийa, И. Б. Чистохинa, Н. А. Валишеваa, Д. В. Дмитриевa, А. И. Тороповa, М. С. Аксеновab, А. Л. Чижc, К. Б. Микитчукc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Государственное научно-производственное объединение "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника", г. Минск
PDF полного текста (626 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.07.50957.347-20
Аннотация: Описаны конструкция и технологии изготовления мощных СВЧ-мезафотодиодов с барьером Шоттки диаметром от 10 до 40 $\mu$m и обратной засветкой через подложку на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Рабочая частота фотодиодов диаметром 10 $\mu$m составляет 40 GHz, а максимальная выходная СВЧ-мощность на частоте 20 GHz для фотодиодов диаметром 15 $\mu$m достигает 58 mW. Коэффициент амплитудно-фазового преобразования составил 1.5 rad/W, что превосходит литературные данные и делает данную конструкцию фотодиодов перспективной для применения в системах генерации и передачи аналоговых СВЧ-сигналов с высокими требованиями к фазовым шумам.
Ключевые слова: мощные СВЧ-фотодиоды, гетероструктуры InAlAs/InGaAs, барьер Шоттки, планарная технология.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-30023
Российский фонд фундаментальных исследований 20-52-26013
Изготовление гетероструктур, использованных в работе, было поддержано Российским научным фондом в рамках проекта 19-72-30023. Изготовление и тестирование макетов было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований в рамках проекта № 20-52-26013.
Поступила в редакцию: 16.12.2020
Исправленный вариант: 24.02.2021
Принята в печать: 01.03.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2021, Volume 66, Issue 9, Pages 1072–1077
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784221070185
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. С. Журавлев, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, М. С. Аксенов, А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, “Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1158–1163; Tech. Phys., 66:9 (2021), 1072–1077
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuGilChi21}
\by К.~С.~Журавлев, А.~М.~Гилинский, И.~Б.~Чистохин, Н.~А.~Валишева, Д.~В.~Дмитриев, А.~И.~Торопов, М.~С.~Аксенов, А.~Л.~Чиж, К.~Б.~Микитчук
\paper Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии
\jour ЖТФ
\yr 2021
\vol 91
\issue 7
\pages 1158--1163
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf4977}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2021.07.50957.347-20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46470488}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2021
\vol 66
\issue 9
\pages 1072--1077
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784221070185}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85124379939}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf4977
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i7/p1158
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:94
    PDF полного текста:68
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024