|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 191–194
(Mi phts6536)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN
И. А. Александровa, К. С. Журавлевb, В. Г. Мансуровa a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Исследовано влияние дефектов в барьере AlN на кривые затухания фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN в матрице AlN после импульсного возбуждения. В кривых затухания структур с квантовыми точками обнаружен начальный участок быстрого затухания фотолюминесценции. Сравнение кривых затухания фотолюминесценции структур с квантовыми точками и слоев AlN без квантовых точек показало, что этот участок связан с вкладом полосы фотолюминесценции дефектов матрицы AlN.
Поступила в редакцию: 12.05.2015 Принята в печать: 18.05.2015
Образец цитирования:
И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, “Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 191–194; Semiconductors, 50:2 (2016), 191–194
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6536 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p191
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 18 | PDF полного текста: | 6 |
|