Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 191–194 (Mi phts6536)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN

И. А. Александровa, К. С. Журавлевb, В. Г. Мансуровa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (642 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Исследовано влияние дефектов в барьере AlN на кривые затухания фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN в матрице AlN после импульсного возбуждения. В кривых затухания структур с квантовыми точками обнаружен начальный участок быстрого затухания фотолюминесценции. Сравнение кривых затухания фотолюминесценции структур с квантовыми точками и слоев AlN без квантовых точек показало, что этот участок связан с вкладом полосы фотолюминесценции дефектов матрицы AlN.
Поступила в редакцию: 12.05.2015
Принята в печать: 18.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 191–194
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616020020
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, “Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 191–194; Semiconductors, 50:2 (2016), 191–194
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleZhuMan16}
\by И.~А.~Александров, К.~С.~Журавлев, В.~Г.~Мансуров
\paper Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 191--194
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6536}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668087}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 191--194
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616020020}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6536
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p191
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:18
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024