|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, М. Н. Дроздов, Д. А. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, Ю. М. Кузнецов, А. В. Кудрин, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, “Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As”, Физика твердого тела, 63:9 (2021), 1245–1252   ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, M. N. Drozdov, D. A. Zdoroveishchev, I. L. Kalentyeva, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Kudrin, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, “Pulsed laser irradiation of light-emitting structures with a (Ga,Mn)As layer”, Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1593–1600 |
| 2. |
В. П. Лесников, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, Р. Н. Крюков, “Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости”, Физика твердого тела, 63:7 (2021), 866–873 ; V. P. Lesnikov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, R. N. Kriukov, “Diode heterostructures with narrow-gap ferromagnetic A$^{3}$FeB$^{5}$ semiconductors of various conduction type”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1028–1035 |
2
|
| 3. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, Ю. М. Кузнецов, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 346–355 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, I. L. Kalentyeva, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, I. N. Antonov, “Action of excimer laser pulses on light-emitting InGaAs/GaAs structures with a (Ga,Mn)As-layer”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 425–434 |
2
|
| 4. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, А. В. Здоровейщев, М. В. Дорохин, Ю. А. Дудин, А. В. Кудрин, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, С. А. Никитов, А. В. Садовников, “Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 324–332 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, A. V. Zdoroveyshchev, M. V. Dorokhin, Yu. A. Dudin, A. V. Kudrin, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, S. A. Nikitov, A. V. Sadovnikov, “Effect of ion irradiation on the magnetic properties of CoPt films”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 386–394 |
8
|
| 5. |
Ю. А. Данилов, А. В. Алафердов, О. В. Вихрова, Д. А. Здоровейщев, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, Ю. М. Кузнецов, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, М. Н. Дроздов, “Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 637–643 ; Yu. A. Danilov, A. V. Alaferdov, O. V. Vikhrova, D. A. Zdoroveishchev, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, Yu. M. Kuznetsov, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, M. N. Drozdov, “Doping of carbon layers grown by the pulsed laser technique”, Semiconductors, 55:8 (2021), 660–666 |
| 6. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 38–41 |
|
2020 |
| 7. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, Е. А. Ларионова, В. А. Ковальский, О. А. Солтанович, “Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 373–380 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, A. V. Zdoroveyshchev, E. A. Larionova, V. A. Koval'skii, O. A. Soltanovich, “Diode heterostructures with a ferromagnetic (Ga, Mn)As layer”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 423–430 |
2
|
| 8. |
А. В. Алафердов, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, С. А. Мошкалев, “Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур”, Оптика и спектроскопия, 128:3 (2020), 399–406 ; A. V. Alaferdov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, S. A. Moshkalev, “The use of films of multilayer graphene as coatings of light-emitting GaAs structures”, Optics and Spectroscopy, 128:3 (2020), 387–394 |
| 9. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1336–1343 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, I. L. Kalentyeva, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, I. N. Antonov, “Pulsed laser irradiation of GaAs-based light-emitting structures”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1598–1604 |
4
|
| 10. |
М. В. Дорохин, П. Б. Демина, Ю. А. Данилов, О. В. Вихрова, Ю. М. Кузнецов, М. В. Ведь, F. Iikawa, M. A. G. Balanta, “Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1139–1144 ; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, Yu. A. Danilov, O. V. Vikhrova, Yu. M. Kuznetsov, M. V. Ved, F. Iikawa, M. A. G. Balanta, “Time-resolved photoluminescence in heterostructures with InGaAs:Cr/GaAs quantum wells”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1341–1346 |
| 11. |
Ю. А. Данилов, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Н. В. Дикарева, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, П. А. Юнин, А. М. Андреев, “Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 868–872 ; Yu. A. Danilov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, N. V. Dikareva, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, P. A. Yunin, A. M. Andreev, “Carbon films produced by the pulsed laser method and their influence on the properties of GaAs structures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1059–1063 |
2
|
| 12. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. Н. Дроздов, А. В. Здоровейщев, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, И. Н. Антонов, С. М. Планкина, М. П. Темирязева, “Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 801–806 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, M. N. Drozdov, A. V. Zdoroveyshchev, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, I. N. Antonov, S. M. Plankina, M. P. Temiryazeva, “Formation of carbon layers by the thermal decomposition of carbon tetrachloride in a reactor for MOCVD epitaxy”, Semiconductors, 54:8 (2020), 956–960 |
1
|
| 13. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, В. Е. Милин, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb”, Письма в ЖТФ, 46:14 (2020), 17–20 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, V. E. Milin, Yu. A. Danilov, “Circularly polarized electroluminescence of spin LEDs with a ferromagnetic (In,Fe)Sb injector”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 691–694 |
|
2019 |
| 14. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, Ю. А. Дудин, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, С. А. Никитов, А. В. Садовников, “Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения”, Физика твердого тела, 61:9 (2019), 1694–1699 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, Yu. A. Dudin, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, S. A. Nikitov, A. V. Sadovnikov, “Modifying the magnetic properties of the CoPt alloy by ion irradiation”, Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1646–1651 |
9
|
| 15. |
Е. А. Ганьшина, Л. Л. Голик, З. Э. Кунькова, Г. С. Зыков, Ю. В. Маркин, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, “О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 465–471 ; E. A. Gan'shina, L. L. Golik, Z. E. Kun'kova, G. S. Zykov, Yu. V. Markin, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, “Phase separation in (Ga,Mn)As layers obtained by ion implantation and subsequent laser annealing”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 332–338 |
2
|
| 16. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, И. Л. Калентьева, Е. А. Ларионова, В. А. Ковальский, О. А. Солтанович, “Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 351–358 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, A. V. Kudrin, I. L. Kalentyeva, E. A. Larionova, V. A. Koval'skii, O. A. Soltanovich, “Studying magnetic diodes with a GaMnAs layer formed by pulsed laser deposition”, Semiconductors, 53:3 (2019), 332–338 |
3
|
| 17. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 33–36 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, “Diode structures based on (In, Fe)Sb/GaAs magnetic heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 668–671 |
1
|
|
2018 |
| 18. |
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, А. Е. Парафин, М. В. Ведь, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, “Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2141–2146 |
1
|
| 19. |
Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Р. Н. Крюков, И. Н. Антонов, Д. С. Толкачев, А. В. Алафердов, З. Э. Кунькова, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, “Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2137–2140 ; Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, R. N. Kriukov, I. N. Antonov, D. S. Tolkachev, A. V. Alaferdov, Z. E. Kun'kova, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, “The study of features of formation and properties of А$^{3}$В$^{5}$ semiconductors highly doped with iron”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2178–2181 |
5
|
| 20. |
З. Э. Кунькова, Е. А. Ганьшина, Л. Л. Голик, Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, В. И. Ковалев, Г. С. Зыков, Ю. В. Маркин, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, “Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 940–946 ; Z. E. Kun'kova, E. A. Gan'shina, L. L. Golik, Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, V. I. Kovalev, G. S. Zykov, Yu. V. Markin, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, “Phase separation in GaMnAs layers grown by laser pulsed deposition”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 943–949 |
5
|
| 21. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, И. Н. Антонов, “Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1286–1290 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, I. N. Antonov, “The effect of the composition of a carrier gas during the growth of a Mn delta-layer on the electrical and magnetic properties of GaAs structures”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1398–1402 |
1
|
| 22. |
Г. Е. Яковлев, М. В. Дорохин, В. И. Зубков, А. Л. Дудин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, “Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 873–880 ; G. E. Yakovlev, M. V. Dorokhin, V. I. Zubkov, A. L. Dudin, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, “Specific features of the electrochemical capacitance–voltage profiling of GaAs LED and pHEMT structures with quantum-confined regions”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1004–1011 |
9
|
|
2017 |
| 23. |
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2200–2202 ; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, E. A. Pitirimova, I. N. Antonov, “Single-phase epitaxial InFeSb layers with a Curie temperature above room temperature”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2220–2222 |
3
|
| 24. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, “Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2196–2199 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, “Emitting heterostructures with a bilayer InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum well and a GaMnAs ferromagnetic layer”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2216–2219 |
2
|
| 25. |
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, М. В. Ведь, Ю. А. Данилов, “Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2142–2147 ; E. I. Malysheva, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Rykov, M. V. Ved, Yu. A. Danilov, “Control of circular polarization of electroluminescence in spin light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$ heterostructures”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2162–2167 |
1
|
| 26. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, И. Ю. Пашенькин, С. М. Планкина, “Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2130–2134 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, I. Yu. Pashen'kin, S. M. Plankina, “Modification of the properties of ferromagnetic layers based on A$^{3}$B$^{5}$ compounds by pulsed laser annealing”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2150–2154 |
6
|
| 27. |
М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, А. В. Рыков, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, В. И. Зубков, Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, А. В. Кудрин, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции”, ЖТФ, 87:10 (2017), 1539–1544 ; M. V. Dorokhin, S. V. Zaitsev, A. V. Rykov, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, V. I. Zubkov, D. S. Frolov, G. E. Yakovlev, A. V. Kudrin, “Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence”, Tech. Phys., 62:10 (2017), 1545–1550 |
4
|
| 28. |
М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства”, ЖТФ, 87:9 (2017), 1389–1394 ; M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, “Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped by transition elements. Part I: Photoluminescence properties”, Tech. Phys., 62:9 (2017), 1398–1402 |
1
|
| 29. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, М. Н. Дроздов, Ю. В. Усов, “Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1468–1472 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, M. N. Drozdov, Yu. V. Usov, “Features of the selective manganese doping of GaAs structures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1415–1419 |
1
|
|
2016 |
| 30. |
Ю. А. Данилов, H. Boudinov, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Е. А. Питиримова, Р. Р. Якубов, “Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2140–2144 ; Yu. A. Danilov, H. Boudinov, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, E. A. Pitirimova, R. R. Yakubov, “Formation of the single-phase ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by pulsed laser annealing”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2218–2222 |
4
|
| 31. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Н. Ю. Коннова, А. В. Нежданов, И. Ю. Пашенькин, “Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1561–1564 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, N. Yu. Konnova, A. V. Nezhdanov, I. Yu. Pashen'kin, “Study of the structures of cleaved cross sections by Raman spectroscopy”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1539–1542 |
6
|
| 32. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, М. Н. Дроздов, “Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1490–1496 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. N. Drozdov, “Effect of thermal annealing on the photoluminescence of structures with InGaAs/GaAs quantum wells and a low-temperature GaAs layer $\delta$-doped with Mn”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1469–1474 |
3
|
| 33. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Демина, Ю. В. Усов, Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, “Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1463–1468 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, Yu. V. Usov, D. E. Nikolichev, R. N. Kriukov, S. Yu. Zubkov, “Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1443–1448 |
| 34. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, “Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 204–207 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, “GaAs structures with a gate dielectric based on aluminum-oxide layers”, Semiconductors, 50:2 (2016), 204–207 |
1
|
| 35. |
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Е. А. Питиримова, “Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 63–71 ; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, E. A. Pitirimova, “Nonlinear room-temperature Hall effect in $n$-InFeAs layers”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 88–92 |
5
|
|
2010 |
| 36. |
С. И. Дорожкин, М. О. Скворцова, А. В. Кудрин, Б. Н. Звонков, Ю. А. Данилов, О. В. Вихрова, “Биения осцилляций Шубникова – де Гааза в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaA ”, Письма в ЖЭТФ, 91:6 (2010), 312–317 ; S. I. Dorozhkin, M. O. Skvortsova, A. V. Kudrin, B. N. Zvonkov, Yu. A. Danilov, O. V. Vikhrova, “Beatings of Shubnikov-de Haas oscillations in a two-dimensional hole system in an InGaAs quantum well”, JETP Letters, 91:6 (2010), 292–296   |
4
|
|
2009 |
| 37. |
С. В. Зайцев, М. В. Дорохин, А. С. Бричкин, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, В. Д. Кулаковский, “Ферромагнитное воздействие $\delta$-$<$Mn$>$-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009), 730–735 ; S. V. Zaitsev, M. V. Dorokhin, A. S. Brichkin, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, V. D. Kulakovskii, “Ferromagnetic effect of a Mn delta layer in the GaAs barrier on the spin polarization of carriers in an InGaAs/GaAs quantum well”, JETP Letters, 90:10 (2009), 658–662 |
58
|
|
2008 |
| 38. |
Б. А. Аронзон, А. С. Лагутин, В. В. Рыльков, В. В. Тугушев, В. Н. Меньшов, А. В. Лейскул, Р. Лайхо, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, “Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$”, Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008), 192–198 ; B. A. Aronzon, A. S. Lagutin, V. V. Ryl'kov, V. V. Tugushev, V. N. Men'shov, A. V. Lashkul, R. Laiho, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, “Magnetic properties of $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$ quantum wells”, JETP Letters, 87:3 (2008), 164–169 |
20
|
|
2007 |
| 39. |
Б. А. Аронзон, В. А. Кульбачинский, П. В. Гурин, А. Б. Давыдов, В. В. Рыльков, А. Б. Грановский, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Y. Horikoshi, K. Onomitsu, “Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок”, Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007), 32–39 ; B. A. Aronzon, V. A. Kul'bachinskii, P. V. Gurin, A. B. Davydov, V. V. Ryl'kov, A. B. Granovskii, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, Y. Horikoshi, K. Onomitsu, “Anomalous hall effect in Mn $\delta$-doped GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs quantum wells with high hole mobility”, JETP Letters, 85:1 (2007), 27–33 |
37
|
|
2006 |
| 40. |
Е. С. Демидов, Ю. А. Данилов, В. В. Подольский, В. П. Лесников, М. В. Сапожников, А. И. Сучков, “Ферромагнетизм в эпитаксиальных слоях германия и кремния, пересыщенных примесями марганца и железа”, Письма в ЖЭТФ, 83:12 (2006), 664–667 ; E. S. Demidov, Yu. A. Danilov, V. V. Podol'skii, V. P. Lesnikov, M. V. Sapozhnikov, A. I. Suchkov, “Ferromagnetism in epitaxial germanium and silicon layers supersaturated with managanese and iron impurities”, JETP Letters, 83:12 (2006), 568–571 |
19
|
|
1984 |
| 41. |
В. К. Васильев, О. Н. Горшков, Ю. А. Данилов, В. С. Туловчиков, “Исследование низкоуровневых нарушений в имплантированных
монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 189–191 |
|
1979 |
| 42. |
П. В. Павлов, Ю. А. Данилов, В. С. Туловчиков, “Морфологические и структурные изменения $\mathrm{InSb}$ при ионной бомбардировке”, Докл. АН СССР, 248:5 (1979), 1111–1114 |
|
Обратная связь: