|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Полупроводники
Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом
О. В. Вихроваa, Ю. А. Даниловa, Б. Н. Звонковa, А. В. Здоровейщевa, А. В. Кудринa, В. П. Лесниковa, А. В. Неждановa, С. А. Павловb, А. Е. Парафинab, И. Ю. Пашенькинa, С. М. Планкинаa a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
С целью повышения концентрации электрически-активного Mn в слоях полупроводников A$^{3}$B$^{5}$ : Mn выполнены эксперименты по лазерному отжигу. Использован эксимерный лазер LPX-200 на KrF с длиной волны 248 nm и длительностью импульса $\sim$30 ns. Экспериментально показано, что при энергии импульса эксимерного лазера $>$ 230 mJ/cm$^{2}$ концентрация дырок в слоях GaAs : Mn увеличивается до 3 $\cdot$ 10$^{20}$ cm$^{-3}$. Отрицательное магнетосопротивление и аномальный эффект Холла с петлей гистерезиса для отожженных образцов GaAs : Mn сохраняются вплоть до 80–100 K. Аналогичные изменения в результате лазерного отжига наблюдаются и для слоев InAs : Mn.
Образец цитирования:
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, И. Ю. Пашенькин, С. М. Планкина, “Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2130–2134; Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2150–2154
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9389 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i11/p2130
|
|