Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями

Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы квантово-размерные светоизлучающие и транзисторные гетероструктуры на основе GaAs, содержащие области $\delta$-легирования, квантовые ямы InGaAs/GaAs и приповерхностные слои квантовых точек InAs/GaAs. Получены профили распределения концентрации свободных носителей заряда по глубине структур, определены накопленные в квантовой яме и массиве квантовых точек заряды, а также степени легирования эмиттерного и $\delta$-слоев. Проведено моделирование зонной структуры и распределения концентрации носителей заряда по глубине образцов с различной геометрией квантовых ям. Проанализированы особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования в гетероструктурах различного типа. Для эффективного разделения откликов от близко расположенных слоев, в частности квантовой ямы и $\delta$-слоя, предложен метод интеграции вольт-фарадных характеристик на каждом этапе травления.