Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1336–1343
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50234.9484
(Mi phts5108)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs

О. В. Вихроваa, Ю. А. Даниловa, Б. Н. Звонковa, И. Л. Калентьеваa, А. В. Неждановb, А. Е. Парафинc, Д. В. Хомицкийb, И. Н. Антоновa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Исследованы эффекты воздействия импульсов эксимерного лазера KrF на кристаллические и оптические свойства структур с четырьмя квантовыми ямами In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs ($x$ варьировалось от 0.08 до 0.25). Результаты, полученные методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии отражения, показали, что высокое кристаллическое качество покровного слоя GaAs-структур сохраняется после воздействия лазерного излучения с плотностью энергии от 200 до 360 мДж/см$^{2}$. Экспериментально методом спектроскопии фотолюминесценции и посредством моделирования процесса лазерного отжига, представляющего собой решение задачи о распространении тепла в одномерной системе на основе GaAs, установлено, что термические воздействия, возникающие в гетероструктурах при импульсном лазерном облучении ниже порога плавления GaAs, приводят к релаксации механических напряжений, которая на начальных стадиях процесса обусловливает появление в квантовых ямах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs точечных дефектов. Последние приводят к “красному” сдвигу пиков фотолюминесцентного излучения квантовых ям и служат центрами безызлучательной рекомбинации, что вызывает гашение фотолюминесцентного излучения.
Ключевые слова: арсенид галлия, МОС-гидридная эпитаксия, гетеронаноструктура, импульсный лазерный отжиг.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-19-00545
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант № 19-19-00545).
Поступила в редакцию: 20.07.2020
Исправленный вариант: 17.08.2020
Принята в печать: 17.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1598–1604
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120428
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1336–1343; Semiconductors, 54:12 (2020), 1598–1604
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VikDanZvo20}
\by О.~В.~Вихрова, Ю.~А.~Данилов, Б.~Н.~Звонков, И.~Л.~Калентьева, А.~В.~Нежданов, А.~Е.~Парафин, Д.~В.~Хомицкий, И.~Н.~Антонов
\paper Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1336--1343
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5108}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50234.9484}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44368068}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1598--1604
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120428}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5108
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1336
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024