|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
О. В. Вихроваa, Ю. А. Даниловa, Б. Н. Звонковa, И. Л. Калентьеваa, А. В. Неждановb, А. Е. Парафинc, Д. В. Хомицкийb, И. Н. Антоновa a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Исследованы эффекты воздействия импульсов эксимерного лазера KrF на кристаллические и оптические свойства структур с четырьмя квантовыми ямами In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs ($x$ варьировалось от 0.08 до 0.25). Результаты, полученные методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии отражения, показали, что высокое кристаллическое качество покровного слоя GaAs-структур сохраняется после воздействия лазерного излучения с плотностью энергии от 200 до 360 мДж/см$^{2}$. Экспериментально методом спектроскопии фотолюминесценции и посредством моделирования процесса лазерного отжига, представляющего собой решение задачи о распространении тепла в одномерной системе на основе GaAs, установлено, что термические воздействия, возникающие в гетероструктурах при импульсном лазерном облучении ниже порога плавления GaAs, приводят к релаксации механических напряжений, которая на начальных стадиях процесса обусловливает появление в квантовых ямах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs точечных дефектов. Последние приводят к “красному” сдвигу пиков фотолюминесцентного излучения квантовых ям и служат центрами безызлучательной рекомбинации, что вызывает гашение фотолюминесцентного излучения.
Ключевые слова:
арсенид галлия, МОС-гидридная эпитаксия, гетеронаноструктура, импульсный лазерный отжиг.
Поступила в редакцию: 20.07.2020 Исправленный вариант: 17.08.2020 Принята в печать: 17.08.2020
Образец цитирования:
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1336–1343; Semiconductors, 54:12 (2020), 1598–1604
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5108 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1336
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 50 | PDF полного текста: | 15 |
|