Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 87, выпуск 3, страницы 192–198 (Mi jetpl35)  

Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$

Б. А. Аронзонab, А. С. Лагутинa, В. В. Рыльковab, В. В. Тугушевa, В. Н. Меньшовa, А. В. Лейскулc, Р. Лайхоc, О. В. Вихроваd, Ю. А. Даниловd, Б. Н. Звонковd

a Российский научный центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
b Институт прикладной и теоретической электродинамики РАН, 127412 Москва, Россия
c Wihuri Physical laboratory, Department of Physics, University of Turku, FIN-20014, Turku, Finland
d Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.~Лобачевского
Список литературы:
Аннотация: В диапазоне температур от 3 до 300 К в магнитных полях до 6 Тл исследованы полевая и температурная зависимости намагниченности $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$ квантовых ям, в которых $\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle$ слой отделялся от квантовой ямы $\mathrm{GaAs}$ спейсером толщиной 3 нм. Обнаружено, что при температурах менее 40 К происходит индуцированный внешним магнитным полем фазовый переход в ферромагнитное состояние со сдвигом петли гистерезиса намагниченности относительно нулевого магнитного поля. Предложена теоретическая модель, предполагающая сосуществование ферро- и антиферромагнитно упорядоченных областей внутри слоев $\mathrm{GaAs}$.
Поступила в редакцию: 26.12.2007
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2008, Volume 87, Issue 3, Pages 164–169
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364008030107
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 71.55.Eq, 72.20.My, 72.25.Dc, 75.50.Pp
Образец цитирования: Б. А. Аронзон, А. С. Лагутин, В. В. Рыльков, В. В. Тугушев, В. Н. Меньшов, А. В. Лейскул, Р. Лайхо, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, “Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$”, Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008), 192–198; JETP Letters, 87:3 (2008), 164–169
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AroLagRyl08}
\by Б.~А.~Аронзон, А.~С.~Лагутин, В.~В.~Рыльков, В.~В.~Тугушев, В.~Н.~Меньшов, А.~В.~Лейскул, Р.~Лайхо, О.~В.~Вихрова, Ю.~А.~Данилов, Б.~Н.~Звонков
\paper Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2008
\vol 87
\issue 3
\pages 192--198
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl35}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2008
\vol 87
\issue 3
\pages 164--169
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364008030107}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000255092100010}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl35
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v87/i3/p192
  • Эта публикация цитируется в следующих 20 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:400
    PDF полного текста:138
    Список литературы:53
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024