Аннотация:
Методом лазерного распыления в вакууме созданы эпитаксиальные гетероструктуры InFeSb/GaAs. Исследования методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и микродифракции показали, что слои InFeSb являются монокристаллическими и не содержат нановключений дополнительной фазы. Исследования магнитотранспортных свойств обнаружили, что в структурах наблюдается аномальный эффект Холла и отрицательное магнетосопротивление вплоть до комнатной температуры.
Образец цитирования:
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2200–2202; Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2220–2222