Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения

Представлены результаты экспериментального изучения новой конструкции диодных гетероструктур с ферромагнитными слоями (Ga, Mn)As. Диодные структуры изготовлены сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного осаждения и содержат гетеропереходы (Ga, Mn)As/$n$-InGaAs. Исследованы электрические свойства диодов в магнитном поле, приложенном перпендикулярно плоскости $p$–$n$-перехода. Обнаружено отрицательное магнетосопротивление при температурах $<$ 50 K – меньше температуры Кюри (Ga, Mn)As, связанное с уменьшением рассеяния носителей заряда благодаря наличию ферромагнитного упорядочения и со снижением потенциального барьера на границе (Ga, Mn)As/$n$-InGaAs. Наблюдаемое отрицательное магнетосопротивление немонотонно зависит от величины прямого смещения с максимумом в области напряжения, близкого к высоте потенциального барьера $p$–$n$-перехода. Наличие максимума может быть связано с определяющим вкладом спин-зависимых сопротивления слоя (Ga, Mn)As и сопротивления на границе раздела (Ga, Mn)As/$n$-InGaAs в величину общего сопротивления структуры. Установлено, что зависимость магнетосопротивления от внешнего магнитного поля имеет гистерезисный вид, особенности которого обусловлены влиянием напряжений растяжения в слое (Ga, Mn)As, выращенном поверх релаксированного буфера In$_{x}$Ga$_{1-x}$As (содержание индия $x\approx$ 0.1).