Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 13, страницы 33–36
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47955.17812 (Mi pjtf5392) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs

М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (395 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47955.17812
Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с инжектором из разбавленного магнитного полупроводника (In,Fe)Sb. Выполнен анализ вольт-амперных характеристик структур (In,Fe)Sb/$n$-GaAs и (In,Fe)Sb/$p$-GaAs. Построены зонные диаграммы гетеропереходов. Показано, что исследованные структуры по механизму токопереноса аналогичны структурам с барьером Шоттки.
Ключевые слова: разбавленные магнитные полупроводники, диодные структуры, гетеронаноструктуры A$^{3}$B$^{5}$, спиновая инжекция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 8.1751.2017/ПЧ
СП-2450.2018.5
Российский научный фонд 18-79-10088
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проекты № 8.1751.2017/ПЧ и СП-2450.2018.5) — электротранспортные измерения, а также Российского научного фонда (проект № 18-79-10088) — выращивание образцов и проведение микроскопических исследований.
Поступила в редакцию: 29.03.2019
Исправленный вариант: 05.04.2019
Принята в печать: 05.04.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 7, Pages 668–671
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019070149
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 33–36; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 668–671
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VedDorLes19}
\by М.~В.~Ведь, М.~В.~Дорохин, В.~П.~Лесников, Д.~А.~Павлов, Ю.~В.~Усов, А.~В.~Кудрин, П.~Б.~Дёмина, А.~В.~Здоровейщев, Ю.~А.~Данилов
\paper Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 13
\pages 33--36
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5392}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47955.17812}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131076}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 7
\pages 668--671
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019070149}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5392
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i13/p33
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024