Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2017, том 87, выпуск 9, страницы 1389–1394
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.09.44915.1988 (Mi jtf6132) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика низкоразмерных структур

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства

М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (503 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.09.44915.1988
Аннотация: Исследованы оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, легированными атомами марганца или хрома в процессе выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии. Комбинированные измерения топографии поверхности и спектров люминесценции показали возможность управления спектральными характеристиками структур за счет изменения условий формирования и размеров квантовых точек в присутствии атомов примеси. Результаты объясняются особенностями формирования нанокластеров InAs на поверхности GaAs в присутствии атомов Mn или Cr.
Поступила в редакцию: 12.07.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2017, Volume 62, Issue 9, Pages 1398–1402
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784217090055
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства”, ЖТФ, 87:9 (2017), 1389–1394; Tech. Phys., 62:9 (2017), 1398–1402
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorZdoMal17}
\by М.~В.~Дорохин, А.~В.~Здоровейщев, Е.~И.~Малышева, Ю.~А.~Данилов
\paper Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства
\jour ЖТФ
\yr 2017
\vol 87
\issue 9
\pages 1389--1394
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6132}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2017.09.44915.1988}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29966129}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2017
\vol 62
\issue 9
\pages 1398--1402
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784217090055}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6132
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i9/p1389
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024