Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок

Исследованы магнитные и магнитотранспортные свойства квантовых ям GaAs($\delta\langle{\rm Mn}\rangle$)/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs с различным содержанием Mn. Дельта-легированный марганцевый слой отделялся от квантовой ямы GaAs спейсером оптимальной толщины (3 нм), что обеспечило достаточно высокую подвижность дырок ($\geq10^3\,$см$^2/{\rm В\cdot с)}$ в квантовых ямах и эффективный их обмен с атомами Mn. Обнаружено, что в квантовых ямах с активационным характером проводимости аномальный эффект Холла (АЭХ) проявляется только в ограниченном интервале температур выше и ниже температуры Кюри, тогда как в квантовых ямах с "квазиметаллической" проводимостью АЭХ отсутствует. Таким образом, показана неэффективность использования АЭХ для исследования магнитного упорядочения в полупроводниковых системах с высокой подвижностью носителей тока. Обнаруженные особенности в поведении сопротивления, магнитосопротивления и эффекта Холла обсуждаются в терминах взаимодействия дырок с магнитными ионами Mn при учете флуктуаций их потенциала, переноса дырок по уровню протекания и прыжковой проводимости.