|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 83, выпуск 12, страницы 664–667
(Mi jetpl1333)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Ферромагнетизм в эпитаксиальных слоях германия и кремния, пересыщенных примесями марганца и железа
Е. С. Демидовa, Ю. А. Даниловa, В. В. Подольскийa, В. П. Лесниковa, М. В. Сапожниковb, А. И. Сучковc a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН
c Институт химии высокочистых веществ РАН
Аннотация:
Сообщается о возможности лазерного синтеза разбавленных магнитных полупроводников на основе германия и кремния, легированных до 10–15 ат.% марганцем или железом. Примеси Mn и Fe, согласно данным об электронных уровнях $3d$-атомов в полупроводниках, наиболее предпочтительны для реализации в Ge и Si ферромагнетизма по механизму Рудермана–Киттеля–Касуи–Иосиды (РККИ). Тонкие толщиной 50–110 нм эпитаксиальные слои Ge и Si выращивались на подогретых до 200–480 $\mathrm{^\circ C}$ монокристаллических подложках арсенида галлия или сапфира. Содержание $3d$-примеси измерено рентгеноспектральным методом. Ферромагнетизм слоев, высокие магнитная и акцепторная активность Mn в Ge, Mn и Fe в Si проявились в наблюдениях при 77–500 К эффекта Керра, аномального эффекта Холла, высокой дырочной проводимости и анизотропного ферромагнитного резонанса (ФМР). По данным ФМР точка Кюри Ge:Mn, Si:Mn на подложках GaAs и Si:Fe на $\mathrm{Al_2O_3}$ была не ниже 420, 500 и 77 К, соответственно.
Поступила в редакцию: 24.03.2006 Исправленный вариант: 16.05.2006
Образец цитирования:
Е. С. Демидов, Ю. А. Данилов, В. В. Подольский, В. П. Лесников, М. В. Сапожников, А. И. Сучков, “Ферромагнетизм в эпитаксиальных слоях германия и кремния, пересыщенных примесями марганца и железа”, Письма в ЖЭТФ, 83:12 (2006), 664–667; JETP Letters, 83:12 (2006), 568–571
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1333 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v83/i12/p664
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 295 | PDF полного текста: | 117 | Список литературы: | 37 |
|