Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 801–806
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49629.05 (Mi phts5199) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии

Б. Н. Звонковa, О. В. Вихроваa, Ю. А. Даниловa, М. В. Дорохинa, П. Б. Деминаa, М. Н. Дроздовb, А. В. Здоровейщевa, Р. Н. Крюковa, А. В. Неждановc, И. Н. Антоновa, С. М. Планкинаc, М. П. Темирязеваd

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (446 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49629.05
Аннотация: Разработан новый метод осаждения углеродных пленок термическим разложением четыреххлористого углерода (CCl$_{4}$) в потоке водорода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении. Результаты исследования методом спектроскопии комбинационного рассеяния света позволяют предположить, что полученные этим методом углеродные слои представляют собой разупорядоченный нанокристаллический графит. Показана возможность использования такого углеродного слоя в технологическом цикле создания арсенид-галлиевых приборных структур оптоэлектроники (в частности, спиновых светоизлучающих диодов с инжектором CoPt).
Ключевые слова: углеродные пленки, МОС-гидридная эпитаксия, GaAs приборные структуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-19137_мк
Российский научный фонд 17-79-20173
Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (грант № 18-29-19137_мк). Изготовление структур спиновых светоизлучающих диодов было реализовано при поддержке Российского научного фонда (грант № 17-79-20173).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 956–960
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262008028X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. Н. Дроздов, А. В. Здоровейщев, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, И. Н. Антонов, С. М. Планкина, М. П. Темирязева, “Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 801–806; Semiconductors, 54:8 (2020), 956–960
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZvoVikDan20}
\by Б.~Н.~Звонков, О.~В.~Вихрова, Ю.~А.~Данилов, М.~В.~Дорохин, П.~Б.~Демина, М.~Н.~Дроздов, А.~В.~Здоровейщев, Р.~Н.~Крюков, А.~В.~Нежданов, И.~Н.~Антонов, С.~М.~Планкина, М.~П.~Темирязева
\paper Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 801--806
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5199}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49629.05}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800756}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 956--960
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262008028X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5199
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p801
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024