|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводники
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
О. В. Вихроваa, Ю. А. Даниловa, Б. Н. Звонковa, И. Л. Калентьеваa, Ю. М. Кузнецовa, А. В. Неждановb, А. Е. Парафинc, Д. В. Хомицкийb, И. Н. Антоновa a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований варьировалась плотность энергии излучения (от 200 до 360 mJ/cm$^{2}$) импульсного эксимерного лазера LPX-200, и по изменению спектров фотолюминесценции квантовых ям определялась глубина воздействия лазера. При описании полученных результатов была использована модель процесса лазерного отжига, основанная на решении задачи о распространении тепла в одномерной GaAs-системе с учетом слоя (Ga, Mn)As на поверхности. Анализировались изменения структурных и гальваномагнитных свойств образцов в результате лазерного воздействия. Показано, что вследствие импульсного лазерного воздействия при диапазоне плотности энергии лазерного излучения 250–300 mJ/cm$^{2}$ удается сохранить излучательные свойства активной области (квантовой ямы InGaAs/GaAs), расположенной на расстоянии 10–12 nm от слоя (Ga, Mn)As и модифицировать ферромагнитные свойства полупроводника (Ga, Mn)As, а именно: увеличить температуру фазового перехода ферромагнетик–парамагнетик до значений не менее 120 K. Полученные результаты перспективны для развития технологии приборов спиновой оптоэлектроники.
Ключевые слова:
импульсный лазерный отжиг, МОС-гидридная эпитаксия, импульсное лазерное нанесение, квантово-размерная структура, ферромагнитный полупроводник (Ga, Mn)As.
Поступила в редакцию: 09.10.2020 Исправленный вариант: 20.11.2020 Принята в печать: 24.11.2020
Образец цитирования:
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, Ю. М. Кузнецов, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 346–355; Phys. Solid State, 63:3 (2021), 425–434
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8163 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i3/p346
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 55 | PDF полного текста: | 27 |
|