Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2021, том 63, выпуск 3, страницы 346–355
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2021.03.50585.214
(Mi ftt8163)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводники

Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем

О. В. Вихроваa, Ю. А. Даниловa, Б. Н. Звонковa, И. Л. Калентьеваa, Ю. М. Кузнецовa, А. В. Неждановb, А. Е. Парафинc, Д. В. Хомицкийb, И. Н. Антоновa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
Аннотация: Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований варьировалась плотность энергии излучения (от 200 до 360 mJ/cm$^{2}$) импульсного эксимерного лазера LPX-200, и по изменению спектров фотолюминесценции квантовых ям определялась глубина воздействия лазера. При описании полученных результатов была использована модель процесса лазерного отжига, основанная на решении задачи о распространении тепла в одномерной GaAs-системе с учетом слоя (Ga, Mn)As на поверхности. Анализировались изменения структурных и гальваномагнитных свойств образцов в результате лазерного воздействия. Показано, что вследствие импульсного лазерного воздействия при диапазоне плотности энергии лазерного излучения 250–300 mJ/cm$^{2}$ удается сохранить излучательные свойства активной области (квантовой ямы InGaAs/GaAs), расположенной на расстоянии 10–12 nm от слоя (Ga, Mn)As и модифицировать ферромагнитные свойства полупроводника (Ga, Mn)As, а именно: увеличить температуру фазового перехода ферромагнетик–парамагнетик до значений не менее 120 K. Полученные результаты перспективны для развития технологии приборов спиновой оптоэлектроники.
Ключевые слова: импульсный лазерный отжиг, МОС-гидридная эпитаксия, импульсное лазерное нанесение, квантово-размерная структура, ферромагнитный полупроводник (Ga, Mn)As.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-19-00545
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант № 19-19-00545).
Поступила в редакцию: 09.10.2020
Исправленный вариант: 20.11.2020
Принята в печать: 24.11.2020
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2021, Volume 63, Issue 3, Pages 425–434
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783421030185
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, Ю. М. Кузнецов, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 346–355; Phys. Solid State, 63:3 (2021), 425–434
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VikDanZvo21}
\by О.~В.~Вихрова, Ю.~А.~Данилов, Б.~Н.~Звонков, И.~Л.~Калентьева, Ю.~М.~Кузнецов, А.~В.~Нежданов, А.~Е.~Парафин, Д.~В.~Хомицкий, И.~Н.~Антонов
\paper Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
\jour Физика твердого тела
\yr 2021
\vol 63
\issue 3
\pages 346--355
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8163}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2021.03.50585.214}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=45332239}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2021
\vol 63
\issue 3
\pages 425--434
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783421030185}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8163
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i3/p346
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024