|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009, том 90, выпуск 10, страницы 730–735
(Mi jetpl587)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 58 научных статьях (всего в 58 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Ферромагнитное воздействие $\delta$-$<$Mn$>$-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме
С. В. Зайцевa, М. В. Дорохинb, А. С. Бричкинa, О. В. Вихроваb, Ю. А. Даниловb, Б. Н. Звонковb, В. Д. Кулаковскийa a Институт физики твердого тела РАН
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского университета
Аннотация:
Поляризационные свойства излучения нелегированной InGaAs квантовой ямы (КЯ) в InGaAs/GaAs гетероструктурах с $\delta$-<Mn>-слоем в GaAs барьере исследованы в широком диапазоне температур и магнитных полей. Найдено, что $s,p\text-d$ обменное взаимодействие носителей в КЯ с ионами Mn в $\delta$-слое ведет к ферромагнитному поведению как их зеемановского расщепления, так и спиновой поляризации (с температурой Кюри, характерной для $\delta$-<Mn>-слоя в GaAs барьере). В области низких температур ($T<20$ К) обнаружено насыщение поляризации спинов дырок, которое связано с их фермиевским вырождением.
Поступила в редакцию: 24.09.2009
Образец цитирования:
С. В. Зайцев, М. В. Дорохин, А. С. Бричкин, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, В. Д. Кулаковский, “Ферромагнитное воздействие $\delta$-$<$Mn$>$-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009), 730–735; JETP Letters, 90:10 (2009), 658–662
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl587 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v90/i10/p730
|
|