|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Полупроводники
Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, М. В. Ведь, Ю. А. Данилов Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Проведено исследование циркулярно-поляризованной люминесценции светоизлучающих структур InGaAs/GaAs с дельта-легированным слоем Mn в GaAs барьере. Выполнено варьирование параметров структур: однородное и дельта-легирование акцепторной примесью, удаление донорного легирования из технологического процесса. Получено, что величина и знак степени циркулярной поляризации люминесценции существенно зависят от выбранного технологического режима. Одномерное моделирование волновых функций структур выявило хорошее согласие между параметрами циркулярно-поляризованной люминесценции и пространственным распределением волновых функций тяжелых дырок относительно дельта-слоя Mn.
Образец цитирования:
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, М. В. Ведь, Ю. А. Данилов, “Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2142–2147; Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2162–2167
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9391 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i11/p2142
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 17 |
|