Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1561–1564 (Mi phts6325)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света

С. М. Планкинаa, О. В. Вихроваb, Ю. А. Даниловa, Б. Н. Звонковb, Н. Ю. Конноваa, А. В. Неждановa, И. Ю. Пашенькинa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (270 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Методом сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована кристаллическая структура GaAs, облученного ионами Mn$^{+}$ с последующим импульсным лазерным отжигом. Сканирование поперечного скола образцов показало, что в результате лазерного отжига она полностью восстанавливается на всю глубину имплантации. Обнаружено рассеяние на связанной фонон-плазмонной моде, свидетельствующее об электрической активации примеси при дозах марганца выше 1 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$. На примере данных исследований продемонстрированы возможности метода сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света при исследовании поперечного скола структур, а на тестовом образце c $\delta$-слоем углерода установлено, что латеральное разрешение метода составляет 300 нм.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 11, Pages 1539–1542
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261611021X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Н. Ю. Коннова, А. В. Нежданов, И. Ю. Пашенькин, “Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1561–1564; Semiconductors, 50:11 (2016), 1539–1542
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PlaVikDan16}
\by С.~М.~Планкина, О.~В.~Вихрова, Ю.~А.~Данилов, Б.~Н.~Звонков, Н.~Ю.~Коннова, А.~В.~Нежданов, И.~Ю.~Пашенькин
\paper Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1561--1564
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6325}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369049}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1539--1542
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261611021X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6325
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1561
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024