|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 12-15 марта 2018 г.
Полупроводники
Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
Е. И. Малышеваa, М. В. Дорохинa, Ю. А. Даниловa, А. Е. Парафинb, М. В. Ведьa, А. В. Кудринa, А. В. Здоровейщевa a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Институт физики микроструктур РАН, филиал ФИЦ ИПФ РАН,
Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Сформированы и исследованы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащие ферромагнитные слои (Ga,Mn)As. Для повышения рабочей температуры спинового светоизлучающего диода поверхность структур перед нанесением металлических омических контактов подвергалась импульсному лазерному отжигу. Во внешнем магнитном поле сформированные диоды испускают циркулярно-поляризованное электролюминесцентное излучение. Получено повышение температуры регистрации циркулярно-поляризованной люминесценции с 30 K для исходной структуры до 110 K для структуры, подвергнутой лазерному отжигу. Полученный эффект связывается с повышением температуры Кюри (Ga,Mn)As в результате лазерного воздействия.
Образец цитирования:
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, А. Е. Парафин, М. В. Ведь, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, “Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2141–2146
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9007 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i11/p2141
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 5 |
|