Аннотация:
Сформированы и исследованы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащие ферромагнитные слои (Ga,Mn)As. Для повышения рабочей температуры спинового светоизлучающего диода поверхность структур перед нанесением металлических омических контактов подвергалась импульсному лазерному отжигу. Во внешнем магнитном поле сформированные диоды испускают циркулярно-поляризованное электролюминесцентное излучение. Получено повышение температуры регистрации циркулярно-поляризованной люминесценции с 30 K для исходной структуры до 110 K для структуры, подвергнутой лазерному отжигу. Полученный эффект связывается с повышением температуры Кюри (Ga,Mn)As в результате лазерного воздействия.
Работа выполнена в рамках проектной части госзадания Минобрнауки России (№ 8.1751.2017/ПЧ), при поддержке РФФИ (17-37-80008 мол_эв_а) и стипендии Президента РФ (СП-2450.2018.5).
Образец цитирования:
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, А. Е. Парафин, М. В. Ведь, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, “Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2141–2146
\RBibitem{MalDorDan18}
\by Е.~И.~Малышева, М.~В.~Дорохин, Ю.~А.~Данилов, А.~Е.~Парафин, М.~В.~Ведь, А.~В.~Кудрин, А.~В.~Здоровейщев
\paper Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
\jour Физика твердого тела
\yr 2018
\vol 60
\issue 11
\pages 2141--2146
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9007}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2018.11.46654.10NN}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903760}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9007
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i11/p2141
Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, Ю. М. Кузнецов, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 346–355; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, I. L. Kalentyeva, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, I. N. Antonov, “Action of excimer laser pulses on light-emitting InGaAs/GaAs structures with a (Ga,Mn)As-layer”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 425–434