Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 11, страницы 2141–2146
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2018.11.46654.10NN
(Mi ftt9007)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 12-15 марта 2018 г.
Полупроводники

Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий

Е. И. Малышеваa, М. В. Дорохинa, Ю. А. Даниловa, А. Е. Парафинb, М. В. Ведьa, А. В. Кудринa, А. В. Здоровейщевa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Институт физики микроструктур РАН, филиал ФИЦ ИПФ РАН, Нижний Новгород, Россия
Аннотация: Сформированы и исследованы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащие ферромагнитные слои (Ga,Mn)As. Для повышения рабочей температуры спинового светоизлучающего диода поверхность структур перед нанесением металлических омических контактов подвергалась импульсному лазерному отжигу. Во внешнем магнитном поле сформированные диоды испускают циркулярно-поляризованное электролюминесцентное излучение. Получено повышение температуры регистрации циркулярно-поляризованной люминесценции с 30 K для исходной структуры до 110 K для структуры, подвергнутой лазерному отжигу. Полученный эффект связывается с повышением температуры Кюри (Ga,Mn)As в результате лазерного воздействия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 8.1751.2017/ПЧ
СП-2450.2018.5
Российский фонд фундаментальных исследований 17-37-80008 мол_эв_а
Работа выполнена в рамках проектной части госзадания Минобрнауки России (№ 8.1751.2017/ПЧ), при поддержке РФФИ (17-37-80008 мол_эв_а) и стипендии Президента РФ (СП-2450.2018.5).
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2018, Volume 60, Issue 11
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783418110185
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, А. Е. Парафин, М. В. Ведь, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, “Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2141–2146
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalDorDan18}
\by Е.~И.~Малышева, М.~В.~Дорохин, Ю.~А.~Данилов, А.~Е.~Парафин, М.~В.~Ведь, А.~В.~Кудрин, А.~В.~Здоровейщев
\paper Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
\jour Физика твердого тела
\yr 2018
\vol 60
\issue 11
\pages 2141--2146
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9007}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2018.11.46654.10NN}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903760}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9007
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i11/p2141
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024