Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 11, страницы 2140–2144 (Mi ftt9775)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' , Н. Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Магнетизм

Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом

Ю. А. Даниловabc, H. Boudinovc, О. В. Вихроваb, А. В. Здоровейщевb, А. В. Кудринab, С. А. Павловd, А. Е. Парафинad, Е. А. Питиримоваa, Р. Р. Якубовa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
c Institute of Physics, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, Brazil
d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (678 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Показано, что слои (Ga, Mn)As, сформированные методом имплантации ионов Mn$^{+}$ в GaAs и последующего отжига импульсом эксимерного лазера с плотностью энергии до 200–300 mJ/cm$^{2}$, обладают свойствами полупроводника $p$-типа и ферромагнитными свойствами. Определена пороговая доза имплантированных ионов ($\sim$10$^{15}$ cm$^{-2}$) для активации акцепторов Mn. С дальнейшим повышением дозы ионов Mn$^{+}$ увеличивается слоевая концентрация дырок и температура Кюри. Петли гистерезиса в магнитополевых зависимостях эффекта Холла, отрицательное магнетосопротивление, магнитные и структурные исследования свидетельствуют о том, что слои являются аналогами однофазных ферромагнитных соединений (Ga, Mn)As, сформированных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии.
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 11, Pages 2218–2222
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416110056
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Данилов, H. Boudinov, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Е. А. Питиримова, Р. Р. Якубов, “Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2140–2144; Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2218–2222
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DanBouVik16}
\by Ю.~А.~Данилов, H.~Boudinov, О.~В.~Вихрова, А.~В.~Здоровейщев, А.~В.~Кудрин, С.~А.~Павлов, А.~Е.~Парафин, Е.~А.~Питиримова, Р.~Р.~Якубов
\paper Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 11
\pages 2140--2144
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9775}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368812}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 11
\pages 2218--2222
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416110056}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9775
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i11/p2140
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024