|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, И. Н. Антонов Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Исследовано влияние содержания арсина (от 0 до 8 мкмоль), подаваемого в реактор вместе с водородом при импульсном лазерном распылении мишени Mn, на формирование дельта-легированных арсенид-галлиевых структур. Установлено, что молярная доля арсина $\sim$2.5 мкмоль в атмосфере реактора при формировании дельта-легированного марганцем слоя GaAs позволяет получать эпитаксиальные монокристаллические структуры с наименьшим слоевым сопротивлением и температурой фазового перехода ферромагнетик-парамагнетик вблизи 40 K. Увеличение содержания арсина до 8 мкмоль или его отсутствие в потоке водорода приводит к значительному росту слоевого сопротивления в области температур ниже 150 K и снижению температуры Кюри. В первом случае это может быть обусловлено частичной компенсацией дырочной проводимости дефектами донорного типа, образующимися вследствие избытка мышьяка на растущей поверхности (атомы мышьяка в положении Ga или в междоузлии). Во втором случае, когда арсин не подается в реактор, ростовая поверхность, вероятно, оказывается обогащенной атомами галлия, и это обстоятельство затрудняет встраивание Mn в подрешетку Ga.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, И. Н. Антонов, “Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1286–1290; Semiconductors, 52:11 (2018), 1398–1402
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5681 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1286
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 12 |
|