Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Юнин Павел Андреевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 46
Научных статей: 46

Статистика просмотров:
Эта страница:134
Страницы публикаций:1894
Полные тексты:722
Списки литературы:41
кандидат физико-математических наук (2016)
Специальность ВАК: 01.04.07 (физика конденсированного состояния)
Дата рождения: 16.05.1989
E-mail:
Сайт: http://www.ipmras.ru/institute/persons/staff/136-yunin-pavel-andreevich/

Научная биография:

Юнин, Павел Андреевич. Развитие методов вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии для исследования многослойных полупроводниковых гетероструктур : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.04.07; [Место защиты: Нижегор. гос. ун-т им. Н.И. Лобачевского]. - Нижний Новгород, 2016. - 166 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person121753
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, “Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840  mathnet  elib; A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, V. M. Daniltsev, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, “Effect of the chloropentafluoroethane additive in chlorine-containing plasma on the etching rate and etching-profile characteristics of gallium arsenide”, Semiconductors, 55:11 (2021), 865–868
2. Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, П. А. Юнин, М. А. Калинников, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник, “Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772  mathnet  elib
3. А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, И. В. Самарцев, П. А. Юнин, В. Г. Шенгуров, А. В. Зайцев, Н. В. Байдусь, “Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  37–40  mathnet  elib; A. V. Rykov, R. N. Kriukov, I. V. Samartsev, P. A. Yunin, V. G. Shengurov, A. V. Zaitsev, N. V. Baidus, “Effect of the algaas seed layer composition on antiphase domains formation in (Al)GaAs structures grown by vapor-phase epitaxy on Ge/Si(100) substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 413–416 1
2020
4. А. В. Антонов, А. И. Елькинa, В. К. Васильев, М. А. Галин, Д. В. Мастеров, А. Н. Михайлов, С. В. Морозов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO”, Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1434–1439  mathnet  elib; A. V. Antonov, A. I. Elkina, V. K. Vasil'ev, M. A. Galin, D. V. Masterov, A. N. Mikhaylov, S. V. Morozov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, D. I. Tetelbaum, S. S. Ustavshchikov, P. A. Yunin, D. A. Savinov, “Experimental observation of $s$-component of superconducting pairing in thin disordered HTSC films based on YBCO”, Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1598–1603 3
5. В. Н. Сивков, А. М. Объедков, О. В. Петрова, С. В. Некипелов, А. Е. Мингалева, К. В. Кремлев, Б. С. Каверин, Н. М. Семенов, А. В. Кадомцева, С. А. Гусев, П. А. Юнин, Д. А. Татарский, “Синхротронные, рентгеновские и электронно-микроскопические исследования каталитических систем на основе многостенных углеродных нанотрубок, модифицированных наночастицами меди”, Физика твердого тела, 62:1 (2020),  172–179  mathnet  elib; V. N. Sivkov, A. M. Ob'edkov, O. V. Petpova, S. V. Nekipelov, A. E. Mingaleva, K. V. Kremlev, B. S. Kaverin, N. M. Semenov, A. V. Kadomtseva, S. A. Gusev, P. A. Yunin, D. A. Tatarskii, “Synchrotron, X-ray, and electron microscopic studies of catalyst systems based on multiwalled carbon nanotubes modified by copper nanoparticles”, Phys. Solid State, 62:1 (2020), 214–222 6
6. Н. С. Гусев, М. В. Сапожников, О. Г. Удалов, И. Ю. Пашенькин, П. А. Юнин, “Магнитоэлектрический эффект в гибридных системах сегнетоэлектрик/ферромагнитная пленка с анизотропией типа “легкая плоскость” и “легкая ось””, ЖТФ, 90:11 (2020),  1917–1921  mathnet  elib; N. S. Gusev, M. V. Sapozhnikov, O. G. Udalov, I. Yu. Pashen'kin, P. A. Yunin, “The magnetoelectric effect in ferroelectric/ferromagnetic film hybrid systems with easy-plane and easy-axis anisotropy”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1832–1836
7. Р. М. Смертин, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, Н. И. Чхало, П. А. Юнин, А. Л. Тригуб, “Микроструктура переходных границ в многослойных Мо/Ве-системах”, ЖТФ, 90:11 (2020),  1884–1892  mathnet  elib; R. M. Smertin, V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, N. I. Chkhalo, P. A. Yunin, A. L. Trigub, “The microstructure of transition boundaries in multilayer Mo/Be systems”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1800–1808 1
8. А. Н. Плиговка, П. А. Юнин, А. В. Гога, С. А. Королев, Г. Г. Горох, Е. В. Скороходов, “Морфология и состав дефектированных массивов ниобиевых оксидных неоднородностей, сформированных анодированием двуслойной системы Al/Nb”, ЖТФ, 90:11 (2020),  1854–1859  mathnet  elib; A. N. Pligovka, P. A. Yunin, A. V. Hoha, S. A. Korolev, G. G. Gorokh, E. V. Skorokhodov, “Morphology and structure of defected niobium oxide nonuniform arrays formed by anodizing bilayer Al/Nb systems”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1771–1776 7
9. Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, П. А. Юнин, “Возможности метода задающей маски для исследования характеристик планарных ВТСП-структур в зависимости от толщины сверхпроводящей пленки”, ЖТФ, 90:10 (2020),  1677–1680  mathnet  elib; D. V. Masterov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, P. A. Yunin, “Possibilities of the master mask method in analysis of characteristics of planar HTSC structures depending on superconducting film thickness”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1605–1608 1
10. П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, А. Д. Филатов, И. А. Казанцева, М. В. Ревин, П. А. Юнин, “Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии”, ЖТФ, 90:5 (2020),  826–830  mathnet  elib; P. B. Boldyrevskii, D. O. Filatov, А. D. Filatov, I. A. Kazantseva, M. V. Revin, P. A. Yunin, “Atomic force microscopy examination of elementary processes in metalorganic compound hydride epitaxy of GaAs-based nanoheterostructures”, Tech. Phys., 65:5 (2020), 791–794
11. Ю. А. Данилов, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Н. В. Дикарева, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, П. А. Юнин, А. М. Андреев, “Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872  mathnet  elib; Yu. A. Danilov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, N. V. Dikareva, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, P. A. Yunin, A. M. Andreev, “Carbon films produced by the pulsed laser method and their influence on the properties of GaAs structures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1059–1063 2
12. А. И. Охапкин, П. А. Юнин, Е. А. Архипова, С. А. Краев, С. А. Королев, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, “Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  865–867  mathnet  elib; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, S. A. Korolev, M. N. Drozdov, V. I. Shashkin, “Formation of ohmic contacts to a diamond-like carbon layer deposited on a dielectric diamond substrate”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1056–1058 2
13. П. А. Юнин, А. И. Охапкин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Е. А. Архипова, С. А. Краев, Ю. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, Д. Б. Радищев, “Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858  mathnet  elib; P. A. Yunin, A. I. Okhapkin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, Yu. N. Drozdov, V. I. Shashkin, D. B. Radishev, “Modification of the ratio between $sp^2/sp^3$-hybridized carbon components in PECVD diamond-like films”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1047–1050
14. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. И. Охапкин, П. А. Юнин, О. А. Стрелецкий, А. Е. Иешкин, “Анализ углеродсодержащих материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии: содержание атомов углерода в $sp^{2}$- и $sp^{3}$-гибридных состояниях”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  38–42  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, O. A. Streletskii, A. E. Ieshkin, “SIMS analysis of carbon-containing materials: content of carbon atoms in $sp^{2}$ and $sp^{3}$ hybridization states”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 290–294 6
2019
15. С. С. Уставщиков, А. Ю. Аладышкин, В. В. Курин, В. А. Маркелов, А. И. Елькина, А. М. Клушин, П. А. Юнин, В. В. Рогов, Д. Ю. Водолазов, “СВЧ-импеданс тонкопленочных гибридных структур сверхпроводник–нормальный металл с большим отношением проводимостей”, Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1722–1728  mathnet  elib; S. S. Ustavshchikov, A. Yu. Aladyshkin, V. V. Kurin, V. A. Markelov, A. I. El'kina, A. M. Klushin, P. A. Yunin, V. V. Rogov, D. Yu. Vodolazov, “Microwave impedance of thin-film superconductor–normal metal hybrid structures with a high conductivity ratio”, Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1675–1681
16. А. В. Антонов, А. В. Иконников, Д. В. Мастеров, А. Н. Михайлов, С. В. Морозов, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях”, Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1573–1578  mathnet  elib; A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, D. V. Masterov, A. N. Mikhaylov, S. V. Morozov, Yu. N. Nozdrin, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, D. I. Tetelbaum, S. S. Ustavshchikov, P. A. Yunin, D. A. Savinov, “Phase diagrams of thin disordered films based on HTSC YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ in external magnetic fields”, Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1523–1528 4
17. Р. М. Смертин, С. А. Гарахин, С. Ю. Зуев, А. Н. Нечай, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. В. Свечников, M. G. Sertsu, A. Sokolov, Н. И. Чхало, F. Schäfers, П. А. Юнин, “Влияние термического отжига на свойства многослойных зеркал Mo/Be”, ЖТФ, 89:11 (2019),  1783–1788  mathnet  elib; R. M. Smertin, S. A. Garakhin, S. Yu. Zuev, A. N. Nechai, V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, M. V. Svechnikov, M. G. Sertsu, A. Sokolov, N. I. Chkhalo, F. Schäfers, P. A. Yunin, “Influence of thermal annealing on the properties of multilayer Mo/Be mirrors”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1692–1697 3
18. Н. С. Гусев, И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, О. Г. Удалов, П. А. Юнин, “Магнитострикционный эффект в ферромагнитных пленках с анизотропией типа “легкая ось” и “легкая плоскость””, ЖТФ, 89:11 (2019),  1736–1741  mathnet  elib; N. S. Gusev, I. Yu. Pashen'kin, M. V. Sapozhnikov, O. G. Udalov, P. A. Yunin, “Magnetostriction effect in ferromagnetic films with easy-axis and easy-plane anisotropies”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1646–1651 1
19. Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, П. А. Бушуйкин, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, В. Ю. Давыдов, П. А. Юнин, М. И. Калинников, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400  mathnet  elib; B. A. Andreev, D. N. Lobanov, L. V. Krasil’nikova, P. A. Bushuikin, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, V. Yu. Davydov, P. A. Yunin, M. I. Kalinnikov, E. V. Skorokhodov, Z. F. Krasil'nik, “Emission properties of heavily doped epitaxial indium-nitride layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1357–1362 2
20. А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, П. А. Бушуйкин, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, М. А. Калинников, З. Ф. Красильник, “Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359  mathnet  elib; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, P. A. Bushuikin, B. A. Andreev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. N. Yablonskii, M. A. Kalinnikov, Z. F. Krasil'nik, “Comparative analysis of luminescence properties of Ge : Sb layers grown on Ge(001) and Si(001) substrates”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323 1
21. А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, С. А. Краев, Е. А. Архипова, Е. В. Скороходов, П. А. Бушуйкин, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232  mathnet  elib; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. Korolev, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, E. V. Skorokhodov, P. A. Bushuikin, V. I. Shashkin, “Plasma-chemical deposition of diamond-like films onto the surface of heavily doped single-crystal diamond”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1203–1206 3
2018
22. Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Е. В. Скороходов, П. А. Юнин, “Исследование изолирующей области планарных сверхпроводниковых YBCO-структур, формируемых методом задающей маски”, Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2100–2104  mathnet  elib 3
23. П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, М. В. Ревин, Д. С. Смотрин, П. А. Юнин, “Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии”, ЖТФ, 88:2 (2018),  219–223  mathnet  elib; P. B. Boldyrevskii, D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, M. V. Revin, D. S. Smotrin, P. A. Yunin, “Influence of the rotation frequency of a disk substrate holder on the crystal structure characteristics of MOCVD-grown GaAs layers”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 211–215 1
24. Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446  mathnet  elib; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 3
25. Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, “Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на $a$-срезе сапфира”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1380–1383  mathnet  elib; Yu. N. Drozdov, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, “Verification of the hypothesis on the thermoelastic nature of deformation of $a$(0001)GaN layer grown on the sapphire $a$-cut”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1491–1494
26. А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. В. Скороходов, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1362–1365  mathnet  elib; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. V. Skorokhodov, V. I. Shashkin, “Plasma chemical etching of gallium arsenide in C$_{2}$F$_{5}$Cl-based inductively coupled plasma”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1473–1476 1
27. П. А. Юнин, П. В. Волков, Ю. Н. Дроздов, А. В. Колядин, С. А. Королев, Д. Б. Радищев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, “Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1321–1325  mathnet  elib; P. A. Yunin, P. V. Volkov, Yu. N. Drozdov, A. V. Koliadin, S. A. Korolev, D. B. Radishev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, “Study of the structural and morphological properties of HPHT diamond substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1432–1436 6
28. П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, В. А. Григорьев, “Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на $a$-срезе сапфира (11$\bar2$0)”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1300–1303  mathnet  elib; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, O. I. Khrykin, V. A. Grigoryev, “Investigation of the anisotropy of the structural properties of GaN(0001) layers grown by MOVPE on $a$-plane (11$\bar2$0) sapphire”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1412–1415 1
29. К. В. Кремлев, А. М. Объедков, Н. М. Семенов, Б. С. Каверин, С. Ю. Кетков, С. А. Гусев, П. А. Юнин, А. И. Елкин, А. В. Аборкин, “Газофазный синтез нового функционального гибридного материала на основе многостенных углеродных нанотрубок, декорированных ограненными нанокристаллами алюминия”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  24–31  mathnet  elib; K. V. Kremlev, A. M. Ob'edkov, N. M. Semenov, B. S. Kaverin, S. Yu. Ketkov, S. A. Gusev, P. A. Yunin, A. I. Elkin, A. V. Aborkin, “The gas-phase synthesis of a new functional hybrid material on the basis of multiwalled carbon nanotubes decorated with faceted aluminum nanocrystals”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 865–868 8
30. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Новое ограничение разрешения по глубине при послойном элементном анализе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии: влияние зондирующего ионного пучка”, Письма в ЖТФ, 44:8 (2018),  11–19  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “A new limitation of the depth resolution in tof-sims elemental profiling: the influence of a probing ion beam”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 320–323 1
31. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, М. А. Лобаев, П. А. Юнин, “Новые кластерные вторичные ионы для количественного анализа концентрации атомов бора в алмазе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 44:7 (2018),  52–60  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, M. A. Lobaev, P. A. Yunin, “New cluster secondary ions for quantitative analysis of the concentration of boron atoms in diamond by time-of-flight secondary-ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 297–300 1
2017
32. П. А. Бушуйкин, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, Л. В. Красильникова, Е. В. Демидов, Г. М. Савченко, В. Ю. Давыдов, “Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598  mathnet  elib; P. A. Bushuikin, A. V. Novikov, B. A. Andreev, D. N. Lobanov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, L. V. Krasil’nikova, E. V. Demidov, G. M. Savchenko, V. Yu. Davydov, “Specific features of the photoexcitation spectra of epitaxial InN layers grown by molecular-beam epitaxy with the plasma activation of nitrogen”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1537–1541
33. Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
34. А. И. Охапкин, С. А. Королев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, “Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506  mathnet  elib; A. I. Okhapkin, S. Korolev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, “Low-temperature deposition of SiN$_ x$ films in SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ inductively coupled plasma under high silane dilution with argon”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1449–1452 2
35. М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, “Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  50–59  mathnet  elib; M. N. Drozdov, V. M. Daniltsev, Yu. N. Drozdov, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, “Selective analysis of the elemental composition of InGaAs/GaAs nanoclusters by secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 477–480 1
2016
36. С. Н. Вдовичев, Ю. Н. Ноздрин, Е. Е. Пестов, П. А. Юнин, А. В. Самохвалов, “Фазовые переходы в гибридных SFS структурах с тонкими сверхпроводящими слоями”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016),  336–341  mathnet  elib; S. N. Vdovichev, Yu. N. Nozdrin, E. E. Pestov, P. A. Yunin, A. V. Samokhvalov, “Phase transitions in hybrid SFS structures with thin superconducting layers”, JETP Letters, 104:5 (2016), 329–333  isi  scopus 11
37. А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, П. А. Юнин, “Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1657–1661  mathnet  elib; A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, P. A. Yunin, “Influence of surface roughness on a change in the growth mode from two-dimensional to three-dimensional for strained SiGe heterostructures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1630–1634 1
38. П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Чернов, В. А. Исаев, С. А. Богданов, А. Б. Мучников, “Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1647–1651  mathnet  elib; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, V. V. Chernov, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, A. B. Muchnikov, “Formation of singular (001) terraces on the surface of single-crystal HPHT diamond substrates”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1622–1625 3
39. Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, О. А. Бузанов, В. В. Аленков, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, “Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536  mathnet  elib; D. N. Lobanov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, M. N. Drozdov, O. I. Khrykin, O. A. Buzanov, V. V. Alenkov, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, “Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1511–1514 2
40. В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, П. А. Юнин, “Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462  mathnet  elib; V. M. Daniltsev, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, P. A. Yunin, “Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1439–1442 3
41. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate”, Semiconductors, 50:5 (2016), 586–589
42. Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, П. А. Бушуйкин, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, Л. В. Красильникова, “Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  264–268  mathnet  elib; D. N. Lobanov, A. V. Novikov, B. A. Andreev, P. A. Bushuikin, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, L. V. Krasil’nikova, “Features of InN growth by nitrogen-plasma-assisted MBE at different ratios of fluxes of group-III and -V elements”, Semiconductors, 50:2 (2016), 261–265 6
43. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, П. А. Юнин, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, В. Л. Крюков, Е. В. Крюков, “Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  27–35  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, P. A. Yunin, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, V. L. Kryukov, E. V. Kryukov, “Extremely deep profiling analysis of the atomic composition of thick ($>$ 100 $\mu$m) GaAs layers within power PIN diodes by secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 783–787
44. Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, П. А. Юнин, “Исследование планарных структур, полученных на модифицированных подложках Al$_{2}$O$_{3}$, определяющих топологию сверхпроводящих элементов в процессе осаждения YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-d}$”, Письма в ЖТФ, 42:11 (2016),  82–90  mathnet  elib; D. V. Masterov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, P. A. Yunin, “A study of planar structures formed on the modified Al$_{2}$O$_{3}$ surfaces determining the topology of superconducting elements during YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-d}$ deposition”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 594–597 9
45. К. В. Кремлев, А. М. Объедков, С. Ю. Кетков, Б. С. Каверин, Н. М. Семенов, С. А. Гусев, Д. А. Татарский, П. А. Юнин, “Пиролитическое осаждение наноструктурированных покрытий карбида титана на поверхность многостенных углеродных нанотрубок”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  40–46  mathnet  elib; K. V. Kremlev, A. M. Ob'edkov, S. Yu. Ketkov, B. S. Kaverin, N. M. Semenov, S. A. Gusev, D. A. Tatarskii, P. A. Yunin, “Pyrolytic deposition of nanostructured titanium carbide coatings on the surface of multiwalled carbon nanotubes”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 517–519 10
46. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами”, Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  40–48  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “Nonlinear calibration curves in secondary ion mass spectrometry for quantitative analysis of gesi heterostructures with nanoclusters”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 243–247 2

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024