Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 11, страницы 1884–1892
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.11.49979.142-20
(Mi jtf5157)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10--13 марта 2020 г.
Физика низкоразмерных структур

Микроструктура переходных границ в многослойных Мо/Ве-системах

Р. М. Смертинa, В. Н. Полковниковa, Н. Н. Салащенкоa, Н. И. Чхалоa, П. А. Юнинa, А. Л. Тригубb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
Аннотация: Методами рентгеновской рефлекто- и дифрактометрии и EXAFS-спектроскопии исследована микроструктура Мо/Ве многослойных периодических систем. Установлено, что в Мо/Ве-системе на границах образуются перемешанные зоны разного состава. На границе Мо-на-Ве – перемешанная зона, схожая по составу с МоВе$_{22}$, а на границе Ве-на-Мо – с МоВе$_{2}$. В результате термического отжига в течение 1 h структура переходных границ в многослойной системе остается стабильной. При дальнейшем отжиге происходят диффузионные процессы, которые приводят к образованию другого соединения на границе раздела – МоВе$_{2}$ вместо МоВе$_{22}$, однако период структуры при этом остается неизменным. Такое поведение объясняет рост коэффициента отражения Мо/Ве-зеркал после отжига в течение 1 h и дальнейшее падение коэффициента отражения при большем времени отжига.
Ключевые слова: многослойные зеркала, EXAFS-спектроскопия, межслоевые области, термическая стабильность, рентгеновское излучение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2014-0204
Российский фонд фундаментальных исследований 19-32-90154
19-02-00081
18-02-00588
18-02-00173
Работа выполнена в рамках выполнения государственного задания № 0035-2014-0204 и при поддержке грантов РФФИ № 19-32-90154, 19-02-00081, 18-02-00588, 18-02-00173, – интерпретация экспериментальных данных EXAFS, с использованием оборудования ЦКП “Физика и технологии микро- и наноструктур” при ИФМ РАН.
Поступила в редакцию: 22.04.2020
Исправленный вариант: 22.04.2020
Принята в печать: 22.04.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 11, Pages 1800–1808
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784220110250
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. М. Смертин, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, Н. И. Чхало, П. А. Юнин, А. Л. Тригуб, “Микроструктура переходных границ в многослойных Мо/Ве-системах”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1884–1892; Tech. Phys., 65:11 (2020), 1800–1808
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SmePolSal20}
\by Р.~М.~Смертин, В.~Н.~Полковников, Н.~Н.~Салащенко, Н.~И.~Чхало, П.~А.~Юнин, А.~Л.~Тригуб
\paper Микроструктура переходных границ в многослойных Мо/Ве-системах
\jour ЖТФ
\yr 2020
\vol 90
\issue 11
\pages 1884--1892
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5157}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.11.49979.142-20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44588718}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2020
\vol 65
\issue 11
\pages 1800--1808
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784220110250}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5157
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i11/p1884
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024