Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1579–1582
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45115.32 (Mi phts6012) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si

Н. В. Байдусьa, В. Я. Алешкинab, А. А. Дубиновab, К. Е. Кудрявцевab, С. М. Некоркинa, А. В. Новиковab, Д. А. Павловa, А. В. Рыковa, А. А. Сушковa, М. В. Шалеевab, П. А. Юнинab, Д. В. Юрасовab, А. Н. Яблонскийab, З. Ф. Красильникab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (682 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45115.32
Аннотация: Исследован рост лазерных структур InGaAs/GaAs/AlAs методом МОС-гидридной эпитаксии при низком давлении на подложках Si(001) с эпитаксиальным метаморфным буферным слоем Ge разной толщины. Представлены результаты влияния на кристаллическое и оптическое качество формируемых A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ структур температуры роста и встраивания на границе с Ge/Si(001) подложкой дополнительных слоев AlAs. Продемонстрировано, что встраивание AlAs/GaAs/AlAs решетки на начальных этапах роста A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ гетероструктур на Ge буферных слоях, выращенных на неотклоненных Si(001) подложках, позволяет значительно снизить плотность прорастающих дефектов и, как следствие, формировать эффективно излучающие лазерные структуры. Показана возможность выращивания на Si(001) подложках напряженных квантовых ям InGaAs, демонстрирующих стимулированное излучение в области длин волн больше 1100 нм.
Поступила в редакцию: 15.05.2017
Принята в печать: 31.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1527–1530
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110070
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1579–1582; Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BaiAleDub17}
\by Н.~В.~Байдусь, В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов, К.~Е.~Кудрявцев, С.~М.~Некоркин, А.~В.~Новиков, Д.~А.~Павлов, А.~В.~Рыков, А.~А.~Сушков, М.~В.~Шалеев, П.~А.~Юнин, Д.~В.~Юрасов, А.~Н.~Яблонский, З.~Ф.~Красильник
\paper Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1579--1582
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6012}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45115.32}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546406}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1527--1530
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110070}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6012
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1579
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024