|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1657–1661
(Mi phts6289)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
А. В. Новиковab, М. В. Шалеевa, Д. В. Юрасовab, П. А. Юнинab a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Исследовано влияние микрошероховатости поверхности роста на критическую толщину двумерного роста напряженных SiGe-структур, выращенных на подложках Si(001) и Ge(001). Для решеток Ge/Si, выращенных на подложках Si(001), обнаружено уменьшение критической толщины двумерного роста Ge при увеличении числа периодов решетки или уменьшении толщины разделительных слоев Si, которое связывается с увеличением шероховатости поверхности роста по мере накопления в сжатых структурах упругой энергии. Сравнительные исследования роста SiGe-структур на подложках Si(001) и Ge(001) показали, что в широком диапазоне составов слоев SiGe при одинаковом по абсолютной величине рассогласовании кристаллических решеток пленки и подложки критическая толщина двумерного роста растянутых слоев значительно больше, чем сжатых.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, П. А. Юнин, “Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1657–1661; Semiconductors, 50:12 (2016), 1630–1634
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6289 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1657
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 30 | PDF полного текста: | 11 |
|