Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1321–1325
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46592.14 (Mi phts5689) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек

П. А. Юнинa, П. В. Волковa, Ю. Н. Дроздовa, А. В. Колядинb, С. А. Королевa, Д. Б. Радищевc, Е. А. Суровегинаa, В. И. Шашкинa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b ООО "'Нью Даймонд Технолоджи", Санкт-Петербург, Россия
c Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (609 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46592.14
Аннотация: Методами оптической интерференционной микроскопии белого света, атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дифрактометрии проведены комплексные исследования морфологических и структурных свойств серии монокристаллических HPHT алмазных подложек. Описаны методики, позволяющие охарактеризовать наиболее критичные для эпитаксиального применения параметры подложек на лабораторном оборудовании. Показано, что характеризации алмазных подложек только по ювелирному типу недостаточно при оценке возможности их использования для эпитаксиального роста CVD-алмаза.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-19-01580
Работа поддержана грантом РНФ № 17-19-01580 в части подготовки подложек для эпитаксии.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1432–1436
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110271
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Юнин, П. В. Волков, Ю. Н. Дроздов, А. В. Колядин, С. А. Королев, Д. Б. Радищев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, “Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1321–1325; Semiconductors, 52:11 (2018), 1432–1436
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YunVolDro18}
\by П.~А.~Юнин, П.~В.~Волков, Ю.~Н.~Дроздов, А.~В.~Колядин, С.~А.~Королев, Д.~Б.~Радищев, Е.~А.~Суровегина, В.~И.~Шашкин
\paper Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1321--1325
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5689}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46592.14}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903607}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1432--1436
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110271}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5689
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1321
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    1. Yongkang Xin, Chen Li, Jing Lu, Feng Jiang, Shuai Xu, Ningchang Wang, Ning Yan, “Investigation of Processing Effects on the Surface Condition of Chemical Vapor Deposition Single-Crystal Diamond by Sequential Indentation Tests”, J. of Materi Eng and Perform, 2025  crossref
    2. Vladislav Zhdanov, Pavel Smirnov, Lukasz Andrzejewski, Julia Bondareva, Stanislav A. Evlashin, “Comparative Analysis of Labor Input Required to Produce One Carat at Different Methods of Synthesis and Mining of Diamonds”, SSRN Journal, 2022  crossref
    3. Vladislav Zhdanov, Pavel Smirnov, Lukasz Andrzejewski, Julia Bondareva, Stanislav Evlashin, “Comparative analysis of labor input required to produce one carat at different methods of synthesis and mining of diamonds”, Heliyon, 8:11 (2022), e11519  crossref
    4. Vladislav Zhdanov, Marina Sokolova, Pavel Smirnov, Lukasz Andrzejewski, Julia Bondareva, Stanislav Evlashin, “A Comparative Analysis of Energy and Water Consumption of Mined versus Synthetic Diamonds”, Energies, 14:21 (2021), 7062  crossref
    5. Yang Wang, Wei-hua Wang, Shi-lin Yang, Guo-yang Shu, Bing Dai, Jia-qi Zhu, “Two extreme crystal size scales of diamonds, large single crystal and nanocrystal diamonds: Synthesis, properties and their mutual transformation”, New Carbon Materials, 36:3 (2021), 512  crossref
    6. П. А. Юнин, А. И. Охапкин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Е. А. Архипова, С. А. Краев, Ю. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, Д. Б. Радищев, “Модификация соотношения sp2/sp3-гибридного углерода в PECVD пленках DLC”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 855–858  mathnet  crossref; P. A. Yunin, A. I. Okhapkin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, Yu. N. Drozdov, V. I. Shashkin, D. B. Radishev, “Modification of the ratio between sp2/sp3-hybridized carbon components in PECVD diamond-like films”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1047–1050  mathnet  crossref
    7. М. Н. Дроздов, Е. А. Архипова, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, А. Е. Парафин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 34–38  mathnet  crossref; M. N. Drozdov, E. A. Arkhipova, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, A. E. Parafin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “The use of pulsed laser annealing to form ohmic Mo/Ti contacts to diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 551–555  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025