Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1321–1325
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46592.14 (Mi phts5689) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек

П. А. Юнинa, П. В. Волковa, Ю. Н. Дроздовa, А. В. Колядинb, С. А. Королевa, Д. Б. Радищевc, Е. А. Суровегинаa, В. И. Шашкинa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b ООО "'Нью Даймонд Технолоджи", Санкт-Петербург, Россия
c Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (609 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46592.14
Аннотация: Методами оптической интерференционной микроскопии белого света, атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дифрактометрии проведены комплексные исследования морфологических и структурных свойств серии монокристаллических HPHT алмазных подложек. Описаны методики, позволяющие охарактеризовать наиболее критичные для эпитаксиального применения параметры подложек на лабораторном оборудовании. Показано, что характеризации алмазных подложек только по ювелирному типу недостаточно при оценке возможности их использования для эпитаксиального роста CVD-алмаза.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-19-01580
Работа поддержана грантом РНФ № 17-19-01580 в части подготовки подложек для эпитаксии.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1432–1436
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110271
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Юнин, П. В. Волков, Ю. Н. Дроздов, А. В. Колядин, С. А. Королев, Д. Б. Радищев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, “Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1321–1325; Semiconductors, 52:11 (2018), 1432–1436
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YunVolDro18}
\by П.~А.~Юнин, П.~В.~Волков, Ю.~Н.~Дроздов, А.~В.~Колядин, С.~А.~Королев, Д.~Б.~Радищев, Е.~А.~Суровегина, В.~И.~Шашкин
\paper Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1321--1325
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5689}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46592.14}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903607}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1432--1436
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110271}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5689
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1321
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024