Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 865–867
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49822.14 (Mi phts5161) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку

А. И. Охапкин, П. А. Юнин, Е. А. Архипова, С. А. Краев, С. А. Королев, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (1293 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49822.14
Аннотация: Описан процесс изготовления омических контактов к слою алмазоподобного углерода (DLC) при осаждении на него последовательно металлических слоев Au/Mo/Ti. Контакты имели хорошие механические и адгезионные свойства. Их удельное контактное сопротивление варьировалось от 1.4 $\cdot$ 10$^{-4}$ до 6.4 $\cdot$ 10$^{-5}$ Ом $\cdot$ см$^{2}$ в зависимости от толщины слоя DLC. Изучена температурная зависимость слоевого сопротивления пленок. Показано, что тонкие слои DLC обеспечивают лучшие характеристики омического контакта из-за их более равномерной графитизации в процессе термического отжига.
Ключевые слова: алмазоподобный углерод, омические контакты, плазмохимическое осаждение, монокристаллический алмаз, термический отжиг.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации МК-3450.2019.2
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00565
В работе использовалось оборудование ЦКП “Физика и технология микро- и наноструктур”. Осаждение и исследование слоев DLC выполнено при поддержке гранта Президента РФ для молодых кандидатов наук МК-3450.2019.2. В части развития методики ВИМС работа поддерживалась проектом РФФИ № 18-02-00565.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1056–1058
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090213
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Охапкин, П. А. Юнин, Е. А. Архипова, С. А. Краев, С. А. Королев, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, “Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 865–867; Semiconductors, 54:9 (2020), 1056–1058
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OkhYunArk20}
\by А.~И.~Охапкин, П.~А.~Юнин, Е.~А.~Архипова, С.~А.~Краев, С.~А.~Королев, М.~Н.~Дроздов, В.~И.~Шашкин
\paper Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 865--867
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5161}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49822.14}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154189}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1056--1058
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090213}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5161
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p865
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024