|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1532–1536
(Mi phts6320)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Д. Н. Лобановab, А. В. Новиковab, П. А. Юнинb, Е. В. Скороходовb, М. В. Шалеевb, М. Н. Дроздовb, О. И. Хрыкинb, О. А. Бузановc, В. В. Аленковc, П. И. Фоломинd, А. Б. Гриценкоd a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c АО "Фомос-Материалы", Москва
d Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
Аннотация:
Представлены результаты отработки технологии эпитаксиального роста GaN на подложках из монокристаллического лангасита La$_{3}$Ga$_{5}$SiO$_{14}$ (0001) методом МПЭ ПА. Выполнены исследования влияния температуры осаждаемого на начальном этапе низкотемпературного слоя GaN на кристаллическое качество и морфологию всего слоя нитрида галлия. Продемонстрировано, что оптимальная температура осаждения начального (зародышевого) слоя GaN при его росте на подложках из лангасита составляет $\sim$520$^\circ$C. Понижение температуры роста до этого значения позволяет подавить диффузию кислорода из лангасита в растущий слой и уменьшить плотность прорастающих дислокаций в основном слое GaN при его последующем более высокотемпературном осаждении ($\sim$700$^\circ$C). Дальнейшее понижение температуры роста зародышевого слоя приводит к резкой деградации кристаллического качества GaN/LGS слоев. В результате проведенных исследований были получены эпитаксиальные слои GaN/LGS с плотностью прорастающих дислокаций $\sim$10$^{11}$ см$^{-2}$ и низкой ($<$ 2 нм) шероховатостью поверхности.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, О. А. Бузанов, В. В. Аленков, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, “Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1532–1536; Semiconductors, 50:11 (2016), 1511–1514
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6320 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1532
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 6 |
|