Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 8, страницы 37–40
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.08.50852.18670 (Mi pjtf6565) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)

А. В. Рыковa, Р. Н. Крюковa, И. В. Самарцевa, П. А. Юнинb, В. Г. Шенгуровa, А. В. Зайцевa, Н. В. Байдусьa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (803 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.08.50852.18670
Аннотация: Исследованы гетероструктуры на основе GaAs, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и гидридов на виртуальных подложках Ge/Si с использованием зародышевого слоя Al$_x$Ga$_{1-x}$As с различным содержанием алюминия $x$ в твердом растворе. Показано влияние $x$ на плотность и размеры антифазных доменов, выходящих на поверхность образцов, и на оптические свойства слоя GaAs. Для роста использованы подложки (100) с небольшим случайным отклонением от номинальной кристаллографической ориентации 0.7$^\circ$ к [110].
Ключевые слова: гетероэпитаксия, А$_3$В$_5$ на кремнии, антифазные дефекты, фотолюминесценция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-03-2020-191/5
Российский фонд фундаментальных исследований 19-32-90184
18-29-20016
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект 075-03-2020-191/5), а также Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 19-32-90184 – изготовление подложек Ge/Si методом горячей проволоки; проект № 18-29-20016 – отработка режимов выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии).
Поступила в редакцию: 23.12.2020
Исправленный вариант: 13.01.2021
Принята в печать: 17.01.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 5, Pages 413–416
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021040283
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, И. В. Самарцев, П. А. Юнин, В. Г. Шенгуров, А. В. Зайцев, Н. В. Байдусь, “Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 37–40; Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 413–416
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RykKriSam21}
\by А.~В.~Рыков, Р.~Н.~Крюков, И.~В.~Самарцев, П.~А.~Юнин, В.~Г.~Шенгуров, А.~В.~Зайцев, Н.~В.~Байдусь
\paper Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 8
\pages 37--40
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6565}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.08.50852.18670}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46333411}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 5
\pages 413--416
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021040283}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6565
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i8/p37
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024