|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физическое материаловедение
Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
П. Б. Болдыревскийa, Д. О. Филатовa, И. А. Казанцеваa, М. В. Ревинa, Д. С. Смотринa, П. А. Юнинb a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Изучено влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на механизм роста и кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений и гидридов (MOCVD). Установлены зависимости скорости и механизма роста, общей степени совершенства кристаллической структуры слоев при изменении частоты вращения от 0 до 400 rpm.
Поступила в редакцию: 24.06.2017
Образец цитирования:
П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, М. В. Ревин, Д. С. Смотрин, П. А. Юнин, “Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии”, ЖТФ, 88:2 (2018), 219–223; Tech. Phys., 63:2 (2018), 211–215
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5992 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i2/p219
|
|