Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2018, том 88, выпуск 2, страницы 219–223
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.02.45411.2405 (Mi jtf5992) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физическое материаловедение

Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии

П. Б. Болдыревскийa, Д. О. Филатовa, И. А. Казанцеваa, М. В. Ревинa, Д. С. Смотринa, П. А. Юнинb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (1245 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.02.45411.2405
Аннотация: Изучено влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на механизм роста и кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений и гидридов (MOCVD). Установлены зависимости скорости и механизма роста, общей степени совершенства кристаллической структуры слоев при изменении частоты вращения от 0 до 400 rpm.
Поступила в редакцию: 24.06.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2018, Volume 63, Issue 2, Pages 211–215
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218020068
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, М. В. Ревин, Д. С. Смотрин, П. А. Юнин, “Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии”, ЖТФ, 88:2 (2018), 219–223; Tech. Phys., 63:2 (2018), 211–215
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BolFilKaz18}
\by П.~Б.~Болдыревский, Д.~О.~Филатов, И.~А.~Казанцева, М.~В.~Ревин, Д.~С.~Смотрин, П.~А.~Юнин
\paper Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
\jour ЖТФ
\yr 2018
\vol 88
\issue 2
\pages 219--223
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5992}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2018.02.45411.2405}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739978}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2018
\vol 63
\issue 2
\pages 211--215
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784218020068}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5992
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i2/p219
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024