Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1647–1651 (Mi phts6287)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек

П. А. Юнинabc, Ю. Н. Дроздовba, В. В. Черновc, В. А. Исаевc, С. А. Богдановc, А. Б. Мучниковc

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (401 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Обсуждаются способы экспериментальной диагностики и управления величиной отклонения плоскости поверхности монокристаллических алмазных HPHT (High Pressure High Temperature) пластин относительно кристаллографических плоскостей (001). Такие пластины (подложки) используются для гомоэпитаксиального выращивания как легированных, так и нелегированных пленок CVD алмаза. При травлении HPHT подложек в плазме СВЧ разряда в чистом водороде либо в водород-кислородной смеси наблюдается формирование сингулярных террас с ориентацией поверхности (001). Это явление может быть использовано как для экспресс-анализа ориентации подложки и повышения точности контроля угла отклонения при шлифовке подложек, так и для получения макроскопических сингулярных (001) участков монокристаллических алмазных подложек.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1622–1625
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120289
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Чернов, В. А. Исаев, С. А. Богданов, А. Б. Мучников, “Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1647–1651; Semiconductors, 50:12 (2016), 1622–1625
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YunDroChe16}
\by П.~А.~Юнин, Ю.~Н.~Дроздов, В.~В.~Чернов, В.~А.~Исаев, С.~А.~Богданов, А.~Б.~Мучников
\paper Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1647--1651
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6287}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369067}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1622--1625
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120289}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6287
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1647
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025