Исследование планарных структур, полученных на модифицированных подложках Al$_{2}$O$_{3}$, определяющих топологию сверхпроводящих элементов в процессе осаждения YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-d}$

Исследованы структурные и электрофизические свойства планарных сверхпроводящих структур на основе эпитаксиальных пленок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-d}$ (YBCO), полученных посредством предварительной модификации поверхности подложки. На подложках формировалась специальная “задающая” маска, так что при стандартном напылении пленки YBCO на такую подложку в модифицированных областях рос слой изолятора, а в немодифицированных – сверхпроводящая пленка. В результате формировалась заданная топология планарной сверхпроводящей структуры, причем напыление YBCO являлось завершающим этапом этого процесса. Таким методом были изготовлены мостики YBCO шириной 4, 10 и 50 $\mu$m на пленках различной толщины, а также планарная катушка индуктивности. Температура перехода мостиков в сверхпроводящее состояние составила около 90 K, плотность критического тока – до 3 MA/cm$^{2}$ при температуре 77 K. Добротность планарной катушки индуктивности на частоте 85 MHz составила 53 000 при температуре 77 K.