Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия

Представлены результаты исследований спектров спонтанной фотолюминесценции и стимулированной эмиссии в эпитаксиальных слоях $n$-InN с концентрацией свободных электронов $\sim$10$^{19}$ см$^{-3}$, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на сапфировых подложках с буферными слоями AlN и GaN. При росте InN в условиях обогащения азотом при повышении температуры роста до 470$^\circ$C, близкой к началу разложения InN, наблюдалось улучшение кристаллического качества слоев и снижение порога возникновения стимулированного излучения. При переходе к условиям роста с обогащением металлом в спектрах спонтанной фотолюминесценции InN наблюдались две полосы эмиссии, разделенные интервалом в 100 мэВ. Для таких слоев отмечены значительное увеличение порога возникновения стимулированной эмиссии и в ряде случаев отсутствие перехода к ней. В работе приводится интерпретация наблюдаемых полос эмиссии и высказываются предположения об их природе.