|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.
Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
Б. А. Андреевa, Д. Н. Лобановa, Л. В. Красильниковаa, П. А. Бушуйкинa, А. Н. Яблонскийa, А. В. Новиковa, В. Ю. Давыдовb, П. А. Юнинa, М. И. Калинниковa, Е. В. Скороходовa, З. Ф. Красильникac a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Представлены результаты исследований спектров спонтанной фотолюминесценции и стимулированной эмиссии в эпитаксиальных слоях $n$-InN с концентрацией свободных электронов $\sim$10$^{19}$ см$^{-3}$, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на сапфировых подложках с буферными слоями AlN и GaN. При росте InN в условиях обогащения азотом при повышении температуры роста до 470$^\circ$C, близкой к началу разложения InN, наблюдалось улучшение кристаллического качества слоев и снижение порога возникновения стимулированного излучения. При переходе к условиям роста с обогащением металлом в спектрах спонтанной фотолюминесценции InN наблюдались две полосы эмиссии, разделенные интервалом в 100 мэВ. Для таких слоев отмечены значительное увеличение порога возникновения стимулированной эмиссии и в ряде случаев отсутствие перехода к ней. В работе приводится интерпретация наблюдаемых полос эмиссии и высказываются предположения об их природе.
Ключевые слова:
нитрид индия, молекулярно-пучковая эпитаксия, фотолюминесценция, стимулированное излучение.
Поступила в редакцию: 24.04.2019 Исправленный вариант: 29.04.2019 Принята в печать: 29.04.2019
Образец цитирования:
Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, П. А. Бушуйкин, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, В. Ю. Давыдов, П. А. Юнин, М. И. Калинников, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1395–1400; Semiconductors, 53:10 (2019), 1357–1362
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5385 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1395
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 50 | PDF полного текста: | 20 |
|