|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
Н. В. Байдусьa, В. Я. Алешкинb, А. А. Дубиновb, З. Ф. Красильникb, К. Е. Кудрявцевb, С. М. Некоркинa, А. В. Новиковb, А. В. Рыковa, Д. Г. Реуновa, М. В. Шалеевa, П. А. Юнинb, Д. В. Юрасовb a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках GaAs и искусственных подложках Ge/Si на основе Si(001) с эпитаксиальным метаморфным слоем Ge выращены лазерные структуры с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Для подавления релаксации упругих напряжений при росте квантовых ям InGaAs с высокой долей In применялись компенсирующие слои GaAsP. Сопоставлены структурные и излучательные свойства образцов, выращенных на различных типах подложек. На структурах, выращенных на подложках GaAs, получено стимулированное излучение на длинах волн до 1.24 мкм при температуре 300 K, выращенных на подложках Ge/Si – на длинах волн до 1.1 мкм при температуре 77 K.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1443–1446; Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5657 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1443
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 55 | PDF полного текста: | 13 |
|