Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп

Представлены результаты исследований влияния соотношения потоков элементов III и V групп на структурные и оптические свойства формируемой методом МПЭ ПА пленки InN. Было показано, что при соотношении потоков III/V $<$ 0.6 слой InN состоит из отдельно стоящих наноколонн. В диапазоне соотношений 0.6 $<$ III/V $<$ 0.9 рост InN становится двумерным, однако слой InN обладает нанопористой структурой. При переходе к металлобогащенным условиям роста (III/V $\sim$ 1.1) слой InN становится сплошным. Переход от трехмерного роста к двумерному сопровождается увеличением плотности прорастающих дислокаций. Это приводит к снижению интенсивности сигнала фотолюминесценции InN при комнатной температуре. Концентрация электронов в слоях InN составила $\sim$5 $\cdot$10$^{18}$ см$^{-3}$, что приводит к сдвигу максимума сигнала ФЛ в область длин волн 1.73–1.8 мкм и сдвигу края поглощения в область $\sim$1.65 мкм.