Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 10, страницы 50–59
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.10.44620.16635 (Mi pjtf6224) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии

М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (166 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.10.44620.16635
Аннотация: Развиваются новые возможности метода вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа атомного состава нанокластеров InGaAs в матрице GaAs. С использованием тестовых структур In$_{x}$Ga$_{1-x}$As получены нелинейные калибровочные зависимости “интенсивность-концентрация” для вторичных ионов In$_{2}$As и InAs, которые не содержат нормировки на элементы матрицы Ga или As и позволяют селективно анализировать состав нанокластеров. Проведен количественный послойный анализ концентрации индия и определены статистические характеристики массивов нанокластеров в гетероструктурах InGaAs/GaAs.
Поступила в редакцию: 23.12.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 5, Pages 477–480
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017050170
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, “Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 43:10 (2017), 50–59; Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 477–480
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DroDanDro17}
\by М.~Н.~Дроздов, В.~М.~Данильцев, Ю.~Н.~Дроздов, О.~И.~Хрыкин, П.~А.~Юнин
\paper Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 10
\pages 50--59
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6224}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.10.44620.16635}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29357217}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 5
\pages 477--480
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017050170}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6224
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i10/p50
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024