|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.
Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, П. А. Бушуйкин, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, М. А. Калинников, З. Ф. Красильник Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Выполнены сравнительные исследования люминесцентных свойств легированных Sb слоев Ge, выращенных на подложках Si(001) и Ge(001). Показано, что в сигнал фотолюминесценции слоев Ge : Sb/Ge(001), в отличие от слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии, значительный вклад дают непрямые оптические переходы. Данный факт связывается с большим временем жизни носителей заряда в гомоэпитаксиальных структурах Ge : Sb/Ge вследствие отсутствия в них дефектов кристаллической решетки, связанных с релаксацией упругих напряжений. Показано, что значительное возрастание вклада прямых оптических переходов в общий сигнал фотолюминесценции, наблюдаемое при увеличении уровня легирования слоев Ge : Sb/Ge(001), вызвано ростом заселенности электронных состояний в -долине. При концентрациях Sb, значительно превышающих ее равновесную растворимость в Ge, когда наблюдается частичная электрическая активация примеси, значительное влияние на излучательные свойства слоев Ge : Sb, выращенных на различных подложках, оказывают центры безызлучательной рекомбинации, которыми могут являться кластеры примесных атомов.
Ключевые слова:
кремний, германий, легирование, люминесценция, излучательная и безызлучательная рекомбинация.
Поступила в редакцию: 24.04.2019 Исправленный вариант: 29.04.2019 Принята в печать: 29.04.2019
Образец цитирования:
А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, П. А. Бушуйкин, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, М. А. Калинников, З. Ф. Красильник, “Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1354–1359; Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5378 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1354
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 68 | PDF полного текста: | 14 |
|