Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1354–1359
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48289.35
(Mi phts5378)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)

А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, П. А. Бушуйкин, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, М. А. Калинников, З. Ф. Красильник

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Выполнены сравнительные исследования люминесцентных свойств легированных Sb слоев Ge, выращенных на подложках Si(001) и Ge(001). Показано, что в сигнал фотолюминесценции слоев Ge : Sb/Ge(001), в отличие от слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии, значительный вклад дают непрямые оптические переходы. Данный факт связывается с большим временем жизни носителей заряда в гомоэпитаксиальных структурах Ge : Sb/Ge вследствие отсутствия в них дефектов кристаллической решетки, связанных с релаксацией упругих напряжений. Показано, что значительное возрастание вклада прямых оптических переходов в общий сигнал фотолюминесценции, наблюдаемое при увеличении уровня легирования слоев Ge : Sb/Ge(001), вызвано ростом заселенности электронных состояний в -долине. При концентрациях Sb, значительно превышающих ее равновесную растворимость в Ge, когда наблюдается частичная электрическая активация примеси, значительное влияние на излучательные свойства слоев Ge : Sb, выращенных на различных подложках, оказывают центры безызлучательной рекомбинации, которыми могут являться кластеры примесных атомов.
Ключевые слова: кремний, германий, легирование, люминесценция, излучательная и безызлучательная рекомбинация.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2014-0201
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-14056-офи_м
18-02-00771
Работа выполнена частично в рамках государственного задания ИФМ РАН (тема № 0035-2014-0201), при финансовой поддержке РФФИ (проекты № 16-29-14056-офи_м и № 18-02-00771). Работа выполнена с использованием оборудования ЦКП ИФМ РАН.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1318–1323
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100154
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, П. А. Бушуйкин, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, М. А. Калинников, З. Ф. Красильник, “Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1354–1359; Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NovYurBai19}
\by А.~В.~Новиков, Д.~В.~Юрасов, Н.~А.~Байдакова, П.~А.~Бушуйкин, Б.~А.~Андреев, П.~А.~Юнин, М.~Н.~Дроздов, А.~Н.~Яблонский, М.~А.~Калинников, З.~Ф.~Красильник
\paper Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1354--1359
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5378}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48289.35}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174857}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1318--1323
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100154}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5378
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1354
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024