|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1459–1462
(Mi phts6307)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
В. М. Данильцевa, Е. В. Демидовa, М. Н. Дроздовab, Ю. Н. Дроздовab, С. А. Краевa, Е. А. Суровегинаa, В. И. Шашкинba, П. А. Юнинab a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов $\sim$10$^{21}$ см$^{-3}$ без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7 $\cdot$ 10$^{-6}$ Ом $\cdot$ см$^{2}$) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, П. А. Юнин, “Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1459–1462; Semiconductors, 50:11 (2016), 1439–1442
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6307 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1459
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 8 |
|