|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Иванов, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 733–737   |
1
|
| 2. |
Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 3–6 |
3
|
| 3. |
Н. А. Черкашин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. М. Устинов, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 15–18 ; N. A. Cherkashin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, S. O. Usov, V. M. Ustinov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. F. Tsatsul'nikov, “Peculiarities of epitaxial growth of III – N led heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756 |
6
|
|
2020 |
| 4. |
А. В. Сахаров, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 3–6 ; A. V. Sakharov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, S. O. Usov, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of reactor pressure on the properties of GaN layers grown by MOVPE”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1211–1214 |
2
|
| 5. |
А. В. Мясоедов, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. Е. Калмыков, Л. М. Сорокин, В. В. Лундин, “ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 50–54 ; A. V. Myasoedov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. E. Kalmykov, L. M. Sorokin, V. V. Lundin, “A TEM study of AlN–AlGaN–GaN multilayer buffer structures on silicon substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 991–995 |
1
|
|
2019 |
| 6. |
S. N. Rodin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevski, “GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2333 ; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2335–2337 |
| 7. |
В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, Е. Ю. Лундина, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 36–39 ; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, E. Yu. Lundina, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “Insulating GaN epilayers co-doped with iron and carbon”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 723–726 |
6
|
|
2018 |
| 8. |
В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, С. О. Усов, М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, В. П. Евтихиев, “Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1237–1243 ; V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, “Selective epitaxial growth of III–N structures using ion-beam nanolithography”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1357–1362 |
5
|
| 9. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811 ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
| 10. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 98–104 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 |
1
|
| 11. |
В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, А. Е. Николаев, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. Ф. Цацульников, “Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 51–58 ; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, A. E. Nikolaev, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. F. Tsatsul'nikov, “The effect of the method by which a high-resistivity GaN buffer layer is formed on properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures with 2D electron gas”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 577–580 |
1
|
| 12. |
С. А. Блохин, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. В. Сахаров, В. М. Устинов, “Высокоскоростные полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для оптических систем передачи данных (Обзор)”, Письма в ЖТФ, 44:1 (2018), 7–43 ; S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, “High-speed semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers for optical data-transmission systems (review)”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 1–16 |
15
|
|
2017 |
| 13. |
Г. М. Савченко, В. В. Дюделев, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, Н. С. Аверкиев, Г. С. Соколовский, “Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники”, Физика твердого тела, 59:9 (2017), 1680–1683 ; G. M. Savchenko, V. V. Dyudelev, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, E. A. Kognovitskaya, S. N. Losev, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S. Averkiev, G. S. Sokolovskii, “Photonic-crystal waveguide for the second-harmonic generation”, Phys. Solid State, 59:9 (2017), 1702–1705 |
5
|
| 14. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1697 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 |
1
|
| 15. |
В. В. Лундин, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, Е. Ю. Лундина, С. О. Усов, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ф. Цацульников, “Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 101–104 ; V. V. Lundin, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, E. Yu. Lundina, S. O. Usov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. F. Tsatsul'nikov, “InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length”, Semiconductors, 51:1 (2017), 100–103 |
2
|
|
2016 |
| 16. |
Е. А. Тарасова, Е. С. Оболенская, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Неженцев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, Г. В. Медведев, “Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1599–1604 ; E. A. Tarasova, E. S. Obolenskaya, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. V. Nezhentsev, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, G. V. Medvedev, “Theoretical and experimental studies of the current–voltage and capacitance–voltage of HEMT structures and field-effect transistors”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1574–1578 |
5
|
| 17. |
А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1451–1454 ; A. S. Bolshakov, V. V. Chaldyshev, E. E. Zavarin, A. V. Sakharov, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, “Optical spectroscopy of a resonant Bragg structure with InGaN/GaN quantum wells”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1431–1434 |
5
|
| 18. |
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, С. О. Усов, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. М. Устинов, “Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1401–1407 ; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, S. O. Usov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, V. M. Ustinov, “Effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1383–1389 |
3
|
| 19. |
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, А. Е. Николаев, М. А. Яговкина, В. М. Устинов, Н. А. Черкашин, “Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1263–1269 ; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, M. A. Yagovkina, V. M. Ustinov, N. A. Cherkashin, “Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1241–1247 |
1
|
| 20. |
В. Г. Тихомиров, В. Е. Земляков, В. В. Волков, Я. М. Парнес, В. Н. Вьюгинов, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, Н. А. Черкашин, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 245–249 ; V. G. Tikhomirov, V. E. Zemlyakov, V. V. Volkov, Ya. M. Parnes, V. N. V’yuginov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Cherkashin, M. N. Mizerov, V. M. Ustinov, “Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation”, Semiconductors, 50:2 (2016), 244–248 |
23
|
| 21. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 39–46 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 |
2
|
| 22. |
Г. М. Савченко, В. В. Дюделев, К. К. Соболева, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, Н. С. Аверкиев, Г. С. Соколовский, “Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 40–48 ; G. M. Savchenko, V. V. Dyudelev, K. K. Soboleva, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. A. Kognovitskaya, S. N. Losev, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S. Averkiev, G. S. Sokolovskii, “Metamaterial for efficient second harmonic generation”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1041–1044 |
7
|
| 23. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, А. В. Сахаров, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, “Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 80–86 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, A. V. Sakharov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, “The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 701–703 |
6
|
| 24. |
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, М. А. Синицын, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников, “Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 85–91 ; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinicin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsul'nikov, “Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 539–542 |
5
|
| 25. |
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. Ф. Цацульников, “Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 86–93 ; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 431–434 |
|
2001 |
| 26. |
И. Л. Крестников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Д. А. Бедарев, Е. Е. Заварин, Ю. Г. Мусихин, Н. М. Шмидт, А. Ф. Цацульников, А. С. Усиков, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, “Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы”, УФН, 171:8 (2001), 857–858 ; I. L. Krestnikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, D. A. Bedarev, E. E. Zavarin, Yu. G. Musikhin, N. M. Shmidt, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Usikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devices”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 815–816 |
1
|
| 27. |
В. М. Устинов, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, А. В. Сахаров, Б. В. Воловик, А. Ф. Цацульников, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, Д. А. Лотт, Д. Бимберг, “Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками”, УФН, 171:8 (2001), 855–857 ; V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815 |
1
|
|
1949 |
| 28. |
А. Сахаров, “Наблюдения космического излучения с помощью фотопластинок, чувствительных к электронам”, УФН, 38:3 (1949), 452–454 |
|
Обратная связь: