Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1401–1407 (Mi phts6346)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе

А. Ф. Цацульниковab, В. В. Лундинa, Е. Е. Заваринa, М. А. Яговкинаa, А. В. Сахаровa, С. О. Усовcb, В. Е. Земляковd, В. И. Егоркинd, К. А. Булашевичe, С. Ю. Карповe, В. М. Устиновb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Зеленоград, Москва, Россия
e OOO "Софт-Импакт", г. Санкт-Петербург
Аннотация: Экспериментально и теоретически изучено влияние толщин и составов слоев в транзисторных гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и статические параметры тестовых транзисторов, изготовленных из таких гетероструктур. Показано, что при использовании барьера InAlN вместо AlGaN концентрация носителей в канале увеличивается более чем в 2 раза, что приводит к соответствующему увеличению тока насыщения. Нанесение диэлектрического покрытия на поверхность гетероструктур InAlN/AlN/GaN in situ в ростовом процессе позволило увеличить максимальный ток насыщения и пробивные напряжения при сохранении высокой крутизны передаточной характеристики.
Поступила в редакцию: 12.04.2016
Принята в печать: 12.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1383–1389
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100237
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, С. О. Усов, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. М. Устинов, “Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1401–1407; Semiconductors, 50:10 (2016), 1383–1389
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TsaLunZav16}
\by А.~Ф.~Цацульников, В.~В.~Лундин, Е.~Е.~Заварин, М.~А.~Яговкина, А.~В.~Сахаров, С.~О.~Усов, В.~Е.~Земляков, В.~И.~Егоркин, К.~А.~Булашевич, С.~Ю.~Карпов, В.~М.~Устинов
\paper Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1401--1407
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6346}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369020}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1383--1389
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100237}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6346
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1401
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024