|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1401–1407
(Mi phts6346)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
А. Ф. Цацульниковab, В. В. Лундинa, Е. Е. Заваринa, М. А. Яговкинаa, А. В. Сахаровa, С. О. Усовcb, В. Е. Земляковd, В. И. Егоркинd, К. А. Булашевичe, С. Ю. Карповe, В. М. Устиновb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Зеленоград, Москва, Россия
e OOO "Софт-Импакт", г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Экспериментально и теоретически изучено влияние толщин и составов слоев в транзисторных гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и статические параметры тестовых транзисторов, изготовленных из таких гетероструктур. Показано, что при использовании барьера InAlN вместо AlGaN концентрация носителей в канале увеличивается более чем в 2 раза, что приводит к соответствующему увеличению тока насыщения. Нанесение диэлектрического покрытия на поверхность гетероструктур InAlN/AlN/GaN in situ в ростовом процессе позволило увеличить максимальный ток насыщения и пробивные напряжения при сохранении высокой крутизны передаточной характеристики.
Поступила в редакцию: 12.04.2016 Принята в печать: 12.04.2016
Образец цитирования:
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, С. О. Усов, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. М. Устинов, “Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1401–1407; Semiconductors, 50:10 (2016), 1383–1389
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6346 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1401
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 61 | PDF полного текста: | 39 |
|