Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 245–249 (Mi phts6546)  
Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования

В. Г. Тихомировab, В. Е. Земляковbc, В. В. Волковb, Я. М. Парнесb, В. Н. Вьюгиновb, В. В. Лундинde, А. В. Сахаровde, Е. Е. Заваринed, А. Ф. Цацульниковed, Н. А. Черкашинf, М. Н. Мизеровd, В. М. Устиновe

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
f CEMES-CNRS – Université de Toulouse, Toulouse, France
PDF полного текста (548 kB) Список цитирования (23)
Аннотация: Проведены численное моделирование, а также расчетная и экспериментальная оптимизация полевых СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaN/AlN/AlGaN. Результаты выполненных исследований показали, что оптимальные значения толщин и составов слоев гетероструктур, позволяющих реализовать высокую мощность в СВЧ диапазоне, лежат в относительно узких пределах. Проведенные исследования показали возможность эффективного использования численного моделирования для разработки СВЧ HEMT с учетом основных физических явлений и особенностей реальных приборных конструкций.
Поступила в редакцию: 11.06.2015
Принята в печать: 17.06.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 244–248
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616020263
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Тихомиров, В. Е. Земляков, В. В. Волков, Я. М. Парнес, В. Н. Вьюгинов, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, Н. А. Черкашин, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 245–249; Semiconductors, 50:2 (2016), 244–248
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikZemVol16}
\by В.~Г.~Тихомиров, В.~Е.~Земляков, В.~В.~Волков, Я.~М.~Парнес, В.~Н.~Вьюгинов, В.~В.~Лундин, А.~В.~Сахаров, Е.~Е.~Заварин, А.~Ф.~Цацульников, Н.~А.~Черкашин, М.~Н.~Мизеров, В.~М.~Устинов
\paper Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 245--249
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6546}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668114}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 244--248
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616020263}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6546
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p245
    • Эта публикация цитируется в следующих 23 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:69
    PDF полного текста:50
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024