Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 101–104
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.44003.8293 (Mi phts6265) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины

В. В. Лундинa, С. Н. Родинa, А. В. Сахаровa, Е. Ю. Лундинаa, С. О. Усовb, Ю. М. Задирановa, С. И. Трошковa, А. Ф. Цацульниковbc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (368 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.44003.8293
Аннотация: Нитевидные микрокристаллические светодиодные структуры InGaN/GaN в коаксиальной геометрии длиной 400–600 мкм были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых и кремниевых подложках. Использовалась технология сверхбыстрого роста нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированного нанослоем титана. При протекании тока наблюдалась электролюминесценция микрокристаллов в сине-зеленом спектральном диапазоне.
Поступила в редакцию: 25.04.2016
Принята в печать: 29.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 100–103
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010122
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Лундин, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, Е. Ю. Лундина, С. О. Усов, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ф. Цацульников, “Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 101–104; Semiconductors, 51:1 (2017), 100–103
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunRodSak17}
\by В.~В.~Лундин, С.~Н.~Родин, А.~В.~Сахаров, Е.~Ю.~Лундина, С.~О.~Усов, Ю.~М.~Задиранов, С.~И.~Трошков, А.~Ф.~Цацульников
\paper Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 101--104
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6265}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.44003.8293}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969413}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 100--103
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010122}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6265
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p101
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024