Аннотация:
Исследованы оптические свойства структуры с периодической системой из 100 квантовых ям InGaN, разделенных туннельно-непрозрачными барьерами GaN при комнатной температуре. Периодичность структуры соответствовала брэгговскому условию дифракции на частоте экситонов в квантовых ямах. Численное моделирование с использованием матриц переноса дало адекватное количественное соответствие экспериментальным результатам. Модель включала резонансный отклик A, B и C экситонов в квантовых ямах и учет оптического поглощения в барьерах и буферном слое. Определены параметры излучательного и безызлучательного затухания экситонов в квантовых ямах InGaN.
Поступила в редакцию: 12.04.2021 Исправленный вариант: 19.04.2021 Принята в печать: 19.04.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации:
Статья
Образец цитирования:
А. А. Иванов, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 733–737
\RBibitem{ChaZavSak21}
\by А.~А.~Иванов, В.~В.~Чалдышев, Е.~Е.~Заварин, А.~В.~Сахаров, В.~В.~Лундин, А.~Ф.~Цацульников
\paper Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 733--737
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4974}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51286.13}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491076}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4974
https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p733
Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
A. A. Ivanov, V. V. Chaldyshev, E. E. Zavarin, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, A. F. Tsatsulnikov, “GaN/AlGaN resonant Bragg structure”, Известия Российской академии наук. Серия физическая, 87:6 (2023), 892